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FSS102-TL 发布时间 时间:2025/12/28 10:07:46 查看 阅读:13

FSS102-TL是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL小型封装,适用于高密度、便携式电子设备中的电源管理和信号整流应用。该器件具有低正向电压降和快速开关特性,能够有效提升系统效率并减少功率损耗。FSS102-TL广泛应用于消费类电子产品、通信设备、笔记本电脑、USB供电系统以及各类需要高效能小尺寸二极管的场合。其紧凑的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景,同时具备良好的热性能和可靠性。该二极管符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。FSS102-TL在设计上优化了电容和反向漏电流等关键参数,适合高频开关环境下的稳定运行。此外,该器件还具备较强的抗浪涌能力,能够在瞬态过载条件下保持正常工作,提高了整体系统的鲁棒性。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装/外壳:SOD-123FL
  是否无铅:是
  是否环保:符合RoHS和无卤素要求
  极性:单路,共阴极
  反向重复峰值电压(VRRM):20V
  平均整流电流(IO):1A
  正向压降(VF):最大450mV(在1A条件下)
  反向漏电流(IR):最大0.1mA(在20V、25°C条件下)
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  热阻θJA:约300°C/W
  电容(CT):典型值约为100pF(在0V偏置下)

特性

FSS102-TL的核心优势在于其低正向电压降与快速恢复特性之间的优异平衡。由于采用了先进的肖特基势垒技术,该二极管在导通状态下表现出极低的电压损耗,通常在1A电流下仅为450mV左右,这显著降低了功率耗散,提升了整体能效。这对于电池供电设备尤其重要,因为它有助于延长续航时间并减少发热问题。
  其次,该器件具备非常快的反向恢复时间,几乎可以忽略不计,这意味着它在高频开关电路中不会产生明显的开关损耗或反向恢复电荷积累,从而避免了电磁干扰(EMI)的增加和能量浪费。这一特性使得FSS102-TL非常适合用于DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及防止反向电流的保护电路中。
  再者,SOD-123FL封装不仅体积小巧(典型尺寸约为2mm x 1.2mm x 1mm),而且引脚布局便于自动化贴片生产,支持回流焊工艺,确保批量制造的一致性和可靠性。该封装还优化了散热路径,尽管热阻相对较高,但在大多数常规应用场景中仍可满足热管理需求。
  从可靠性角度来看,FSS102-TL经过严格的质量控制流程,具备高浪涌电流承受能力和稳定的温度特性。即使在高温环境下,其反向漏电流也能保持较低水平,避免因漏电增加而导致系统异常。此外,器件的反向击穿电压裕量适中,可在20V工作范围内提供足够的安全余量,适用于5V至12V系统的电压箝位与反向隔离功能。

应用

FSS102-TL常被用于多种电源相关电路中,尤其是在需要高效、小尺寸解决方案的设计中发挥重要作用。典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的续流二极管或箝位二极管,用于释放电感储能并防止电压反冲损坏主控芯片。在DC-DC升压或降压转换器中,该器件可用作输出整流元件,替代传统PN结二极管以降低功耗。
  此外,在USB Type-C和PD供电系统中,FSS102-TL可用于电源路径管理,实现单向电流控制,防止外部电源反灌影响内部电路。它也常见于电池充电管理模块中,作为防反接或备份电源切换的隔离元件。
  在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中,该二极管因其小型化封装和低功耗特性而备受青睐。它还可用于信号线路的ESD保护和瞬态抑制辅助电路,结合TVS管使用以增强系统防护能力。
  工业控制和通信设备中,FSS102-TL用于隔离不同电源域、防止环流以及提高系统稳定性。例如,在多电源冗余设计中,它可以充当“OR-ing”二极管,确保主备电源之间无缝切换而不发生倒灌现象。其高频响应能力也使其适用于射频检测电路或包络检波器等模拟信号处理场景。

替代型号

RB751S-40TLN
  PMDS302C-M3
  BAS40-02W
  MBR120VLSFT1G

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