FSS005WNGR 时间：2025/8/4 18:31:58 阅读：16

FSS005WNGR 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电源适配器等。该器件采用先进的沟槽式栅极技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）以及优异的开关性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　

特性

FSS005WNGR MOSFET 具备多项高性能特性，使其适用于广泛的功率电子应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在高电流条件下的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件采用先进的沟槽式栅极结构，优化了开关性能，减少了开关损耗，适合高频操作。此外，FSS005WNGR 具有较高的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。其 PowerFLAT 5x6 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，适用于自动化生产。该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，确保在极端条件下的可靠性。最后，其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，简化了与控制电路的接口设计。
　　

应用

FSS005WNGR MOSFET 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源适配器以及工业控制设备。由于其低导通电阻和良好的热管理性能，它也适用于需要高电流处理能力的便携式设备和电源模块。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器和 DC-DC 转换器，FSS005WNGR 也能提供出色的性能表现。