FSP5N60是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制及各种高功率电子系统中。该器件采用先进的平面工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的耐压能力,适用于需要高效能与高可靠性的应用场合。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):600V
漏极电流(ID):5A
栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):最大值为3.0Ω(典型值为2.5Ω)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220、TO-251、TO-252等
FSP5N60具有多个优异的电气和物理特性,使其在功率电子应用中表现出色。
首先,该MOSFET的漏源耐压高达600V,能够承受较高的电压应力,适用于多种高压应用场景,如开关电源和逆变器设计。
其次,其导通电阻RDS(on)在VGS=10V时典型值为2.5Ω,最大值为3.0Ω,确保了在导通状态下的低功耗表现,有助于提高系统的整体效率。
此外,FSP5N60支持高达5A的连续漏极电流,适合中等功率的开关应用。其栅极驱动电压范围宽,支持标准的10V至15V驱动,便于与多种驱动电路匹配。
该器件还具备良好的热稳定性和耐用性,能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车级应用环境。
最后,FSP5N60采用多种常用的封装形式,如TO-220、TO-251和TO-252等,便于根据具体应用需求进行安装和散热设计。
FSP5N60因其高性能特性,广泛应用于多个领域。
在电源管理方面,常用于AC-DC和DC-DC转换器中的主开关元件,能够有效提升转换效率并减少发热。在电机控制领域,该器件可用于H桥电路中的功率开关,实现对直流电机或步进电机的精确控制。
另外,FSP5N60也适用于照明系统中的电子镇流器、LED驱动电源以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和宽工作温度范围,该器件也被广泛用于车载电源系统、太阳能逆变器及家用电器中的电源部分。
在消费类电子产品中,如充电器、适配器等设备中,FSP5N60也常作为关键的功率开关器件使用。
KSP5N60, FQP5N60, IRFBC20, STP5NK60Z