FSP4054TCAD 时间：2025/12/29 13:46:22 阅读：22

FSP4054TCAD 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器和负载开关等应用中。该器件采用了先进的沟槽工艺，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于中高功率的电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：3W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

FSP4054TCAD 的核心特性在于其低导通电阻（RDS(on)），在 VGS=10V 时仅为 22mΩ，这使得该器件在高电流工作状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构，增强了电流承载能力和热稳定性。
　　其封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。该封装也便于手工焊接和自动化装配，适用于多种 PCB 设计场景。
　　器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V，兼容常见的驱动电路设计。同时，其最大连续漏极电流可达 8.8A，在 30V 的漏源电压下具备良好的开关性能，适用于各种开关电源拓扑结构，如降压、升压和同步整流等。
　　此外，FSP4054TCAD 还具备良好的抗雪崩能力和热保护性能，能够在复杂的工作环境中保持稳定运行。

应用

FSP4054TCAD 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电源管理模块以及电池供电设备等。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的电源系统，如服务器电源、工业控制设备、便携式电子产品和汽车电子系统等。
　　在 DC-DC 转换器中，FSP4054TCAD 可作为主开关或同步整流器使用，有效提高转换效率并降低发热量。在负载开关应用中，它能够提供快速的开关响应和低静态损耗，适用于对功耗敏感的便携设备。此外，该 MOSFET 也可用于电机驱动、LED 驱动和功率放大器等场合。