类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：4A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 1.8Ω（在 VGS = 10V 时）
　　功耗（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

FSM25C4 的核心优势在于其优化的导通电阻与开关性能之间的平衡，使其在中等功率应用中表现出色。其 RDS(on) 值在 10V 栅极电压下仅为 1.8Ω，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。
　　此外，该器件采用了先进的平面工艺技术，提供了良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在高应力环境下保持稳定运行。
　　FSM25C4 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸，从而提高整体系统的功率密度。
　　该 MOSFET 内置体二极管，具备良好的反向恢复特性，适合用于桥式电路和电机控制应用。
　　TO-220 封装形式提供了良好的散热性能，便于安装在标准散热片上，适用于中等功率密度的设计。

FSM25C4 主要用于需要中等功率处理能力的开关电源系统，如 AC-DC 适配器、LED 驱动电源、工业控制电源模块等。其低导通电阻和高可靠性也使其适用于 DC-DC 转换器和负载开关电路。
　　在电机控制和功率开关应用中，FSM25C4 可作为主开关元件，提供高效的功率控制能力。
　　此外，该器件还可用于逆变器、UPS（不间断电源）和电池管理系统等工业电子设备中，作为关键的功率调节元件。
　　由于其良好的抗干扰能力和较高的耐压性能，FSM25C4 也被广泛用于各种消费类电子产品和工业自动化设备中的电源管理模块。

2N6756, IRF840, FQP2N60