FSJ260R3是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
FSJ260R3属于N沟道增强型MOSFET,适合在中高压场景下工作,其出色的电气性能和可靠性使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:18A
导通电阻:260mΩ
栅极电荷:95nC
总电容:2200pF
工作结温范围:-55℃ to 175℃
FSJ260R3的主要特性包括:
1. 高耐压能力:可承受高达650V的漏源电压,适用于多种高压应用环境。
2. 低导通电阻:仅260mΩ的导通电阻有助于减少传导损耗,提高整体能效。
3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷和输出电荷,确保快速开关切换,减少开关损耗。
4. 高可靠性:经过严格测试,能够在恶劣环境下长期稳定运行。
5. 紧凑封装:采用行业标准封装形式,易于集成到各种电路设计中。
FSJ260R3广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器:用于汽车电子、通信设备等。
3. 电机驱动:控制各类直流无刷电机或步进电机。
4. 工业逆变器:支持太阳能逆变器和其他电力转换设备。
5. 能量回收与电池管理系统:优化能量利用效率,延长电池寿命。
FCH260R3,
IRFZ44N,
FDP15U65A,
STP17NF65,
IXFN120N65T2