FSF10A60 时间：2025/12/29 13:18:29 阅读：13

FSF10A60 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高功率开关和电源转换器等电路中。该器件采用先进的平面条形工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性。FSF10A60 通常用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、电机驱动、UPS 系统以及工业电源设备中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.68Ω（最大）
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FSF10A60 具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，该 MOSFET 的导通电阻较低，最大值为 0.68Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，其漏源耐压达到 600V，适用于高压电路中的开关操作。栅源电压容限为 ±30V，确保在各种控制信号下稳定工作。此外，该器件采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能够在高功率工作条件下保持稳定。
　　FSF10A60 还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了其在突发电压或电流冲击情况下的可靠性。其快速开关特性也使其适用于高频开关电源设计。该器件的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +150°C，适用于工业级和车载电子等严苛环境下的应用。

应用

FSF10A60 广泛用于各种功率电子设备中，主要包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机控制电路、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及照明系统。此外，该 MOSFET 也常见于电动汽车充电系统、太阳能逆变器和家用电器中的电源模块中。其高耐压和低导通电阻的特性使其成为中高功率开关应用的理想选择。