时间:2025/12/26 12:17:01
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FSD273TA是一款高度集成的准谐振(Quasi-Resonant, QR)反激式控制器,主要用于离线式开关电源设计,特别是适用于AC-DC转换应用。该器件由ON Semiconductor(安森美)生产,集成了高压启动电路、电流模式PWM控制器和多种保护功能,旨在提供高能效、低成本且可靠的电源解决方案。FSD273TA常用于适配器、充电器、机顶盒、显示器电源以及低功率消费类电子产品中。其内部集成的MOSFET使得设计更加简洁,减少了外围元件数量,从而降低了整体系统成本并提高了可靠性。该芯片支持宽输入电压范围,能够适应全球通用的交流输入条件,并通过优化的控制算法实现良好的动态响应和轻载效率。此外,FSD273TA具备多种内置保护机制,如过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)和前沿消隐(Leading Edge Blanking, LEB),确保在各种异常工作条件下仍能安全运行。芯片还采用了频率折叠(Frequency Folding)和跳周期模式(Burst Mode)技术,在轻载或空载时显著降低功耗,满足国际能效标准,如Energy Star和DoE Level VI等要求。封装形式为紧凑型DIP-7或SIP-7,便于PCB布局和散热管理。
型号:FSD273TA
制造商:ON Semiconductor
拓扑结构:反激式
控制模式:准谐振(QR)
集成MOSFET:是
MOSFET耐压:650V
启动电压:13.5V(典型值)
工作电压范围:8.5V ~ 22V
待机电流:<1mA(典型值)
开关频率:30kHz ~ 100kHz(可变)
电流检测阈值:0.85V(典型值)
工作温度范围:-40°C ~ +105°C
封装类型:DIP-7 或 SIP-7
引脚数:7
保护功能:OVP, OLP, OTP, LEB
FSD273TA具备先进的准谐振控制技术,能够在MOSFET漏源电压最低点进行导通,实现零电压开关(ZVS),从而显著降低开关损耗,提高整体转换效率。这种控制方式特别适用于中低功率范围内的反激变换器,尤其在全负载范围内都能保持较高的效率表现。芯片内部集成了一个高压启动电流源,可在上电时直接从高压母线为VCC电容充电,无需外部启动电阻,加快了启动速度并减少了待机功耗。当电源进入稳态运行后,控制系统会自动切换到由辅助绕组供电,维持正常工作。
为了提升系统稳定性与安全性,FSD273TA内置了多重保护机制。例如,过载保护(OLP)通过检测反馈信号持续时间来判断输出是否过载,一旦触发将使芯片进入打嗝模式,限制输出能量并防止损坏。过压保护(OVP)监控反馈回路状态,若反馈开路或次级整流管失效导致输出电压异常升高,芯片将立即关闭输出以保护负载设备。过温保护(OTP)则通过片内温度传感器实时监测结温,当超过设定阈值时自动关断输出,直到温度下降才恢复工作。
在轻载条件下,FSD273TA采用频率折叠和突发模式(Burst Mode)相结合的方式调节输出功率。随着负载减小,开关频率逐渐降低以减少开关次数;当负载进一步减轻时,进入打嗝模式,仅在输出电压低于一定阈值时才进行短时间开关操作,极大降低了待机功耗,符合现代节能标准。此外,前沿消隐功能有效抑制了电流检测信号中的尖峰干扰,避免误触发限流保护,提升了系统的抗噪声能力。芯片还具有软启动功能,防止启动过程中产生过大的浪涌电流,保护功率器件和输入电源。
FSD273TA广泛应用于多种低至中等功率的AC-DC开关电源系统中,尤其是在对效率、成本和可靠性有较高要求的应用场景。常见用途包括手机充电器、平板电脑适配器、笔记本电脑外置电源、智能家居设备电源模块、无线路由器电源、LED照明驱动电源、机顶盒和电视辅助电源等。由于其集成度高且外围电路简单,非常适合空间受限的小型化设计。在工业领域,该芯片也用于仪表电源、小型电机控制器和传感器供电单元。此外,得益于其出色的待机性能和符合多项国际能效法规的能力,FSD273TA被广泛用于需要满足能源之星(Energy Star)、欧盟CoC V5 Tier 2或美国DoE Level VI等能效认证的产品设计中。其稳定的控制特性和全面的保护功能使其在恶劣电网环境下依然能够可靠运行,适合全球通用输入电压范围(90VAC ~ 264VAC)的应用场合。对于追求高性价比和快速上市时间的设计项目,FSD273TA提供了成熟且经过验证的解决方案,缩短了开发周期并降低了认证难度。
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