FSD04N65A 时间：2025/12/29 14:59:46 阅读：13

FSD04N65A 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压以及优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池充电器等应用领域。该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适合中高功率应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　漏源极击穿电压（VDS）：650V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 2.5Ω（最大值 3.0Ω）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FSD04N65A 具有出色的导通性能和耐压能力，其 650V 的漏源极电压等级适用于高电压应用场景，如开关电源和工业控制设备。该器件的低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，同时减少散热设计的复杂度。此外，其 TO-220 封装具备良好的热管理性能，可在高功率工作条件下保持稳定。该 MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而提高整体系统性能。内部结构设计优化了雪崩能量承受能力，提高了器件的可靠性和耐用性，适用于各种恶劣环境条件下的长期运行。
　　FSD04N65A 的栅极驱动要求较低，通常只需 10V 左右即可完全导通，使其兼容多种驱动电路，包括常见的 PWM 控制器和驱动 IC。此外，其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动损耗，提高整体能效。该器件还具备良好的短路和过载保护能力，在系统异常情况下能有效保护电路免受损坏。

应用

FSD04N65A 主要应用于开关电源（SMPS）、AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、LED 照明驱动、电机控制、电池管理系统（BMS）、逆变器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。其高耐压和良好的热性能使其特别适合用于高电压输入的电源适配器、充电器和工业控制系统。此外，该 MOSFET 还广泛用于太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中的功率转换模块。