时间：2025/8/25 5:24:27
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FSD02N65C 是一款由富士电机（Fuji Electric）推出的高集成度、高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件采用先进的超级结（Super Junction）技术，具有高耐压、低导通电阻和出色的开关性能，适用于高效率、小型化的电源系统。FSD02N65C 主要面向工业电源、充电器、适配器、LED照明电源、开关电源（SMPS）等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：2.2A（在TC=25℃时）
脉冲漏极电流（IDM）：8.8A
导通电阻（RDS(on)）：2.0Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：15nC（典型值）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220F
FSD02N65C 采用富士电机独有的超级结技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），同时保持了优异的开关性能，从而提高了整体系统效率。该器件的高耐压能力（650V）使其适用于多种高电压应用，同时具备良好的热稳定性和抗过载能力。
这款MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，在高频开关电源中表现尤为出色。此外，其TO-220F封装形式具备良好的散热性能，能够在较高功率下稳定运行。
FSD02N65C 还具有出色的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够承受瞬态过电压和高温环境的影响，适用于要求严苛的工业和消费类电源设备。
FSD02N65C 主要应用于各种开关电源（SMPS）、LED驱动电源、适配器、电池充电器、工业电源、DC-DC转换器以及需要高效率功率转换的场合。其高耐压、低导通电阻和良好的热性能使其成为设计高效、紧凑型电源的理想选择。
FQP02N65 / FQA02N65 / STF02N65DM2
