时间：2025/5/8 0:50:41
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FSCM0765RGWDTU是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的功率MOSFET芯片，基于先进的沟槽式技术制造。该器件主要应用于需要高效率、低导通电阻的场景，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。其封装形式为PQFN3x3，具备出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：65V
连续漏极电流：2.1A
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：11nC（典型值）
反向恢复时间：18ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，从而实现了超低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
由于其小型化的PQFN3x3封装，这款器件非常适合空间受限的应用场合。
FSCM0765RGWDTU还具有快速开关速度和较低的栅极电荷，可减少开关损耗。
此外，其出色的热性能确保了在高功率密度应用中的可靠性。
FSCM0765RGWDTU广泛应用于消费类电子、工业控制和通信设备中，常见的应用包括：
笔记本电脑适配器和充电器中的同步整流电路。
DC-DC转换器中的开关元件。
电机驱动中的功率级开关。
各种负载开关和保护电路。
汽车电子中的辅助功率管理模块。
FDP0765AGT, IRF7844TRPBF
