FS75R12KE3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的高功率、高电压的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于高功率开关应用。该模块采用先进的 Trench Field-Stop IGBT 技术,具有较低的导通压降和开关损耗,适合用于逆变器、电机驱动、可再生能源系统等需要高效率和高可靠性的场合。
类型:IGBT模块
额定集电极电流(IC):75A
额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
最大工作温度:150°C
封装形式:PQFN
导通压降(VCE_sat):典型值 1.75V @ IC=75A
短路耐受能力:6μs @ 125°C
隔离电压:2500VRMS
封装尺寸:34mm x 34mm x 2.3mm
引脚数:10
FS75R12KE3G 具备多项先进特性,首先其采用 Trench Field-Stop 技术,显著降低了导通压降和开关损耗,从而提高了整体效率。其次,该模块具备出色的热性能,能够在高温环境下稳定运行,延长了设备的使用寿命。
此外,FS75R12KE3G 设计了内置的反向续流二极管,简化了外围电路设计并提高了系统可靠性。其短路耐受能力达到6μs,在异常工况下提供了更高的安全裕量,防止器件因短路故障而损坏。
在封装方面,该模块采用了 PQFN 封装,具有较小的体积和良好的散热性能,便于安装在紧凑型功率模块中,同时具备较高的机械强度和电气隔离能力,适用于各种工业环境。
FS75R12KE3G 广泛应用于多种高功率电子系统中,如工业电机驱动器、变频器、伺服控制系统、电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及储能系统等。其高电压、高电流能力使其非常适合用于需要高能效和高可靠性的电力电子变换系统。
在电机控制方面,FS75R12KE3G 可用于三相逆变桥结构,实现对交流电机的高效调速和精确控制;在可再生能源领域,该模块可用于光伏逆变器中将直流电转换为交流电并网;在电动汽车充电设备中,它可作为主功率开关元件,实现高效率的电力转换。
由于其出色的短路保护能力和热稳定性,该模块也常用于对系统安全性要求较高的应用场景,如电梯控制系统、工业机器人等。
FGA75N120AND, IXGH75N120T, STGYA75HB120DA