FS70VSJ-2 时间：2025/7/1 7:09:46 阅读：9

FS70VSJ-2是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，能够有效提升系统的效率和可靠性。其封装形式通常为TO-220或TO-252，适合高电流密度的应用场景。
　　FS70VSJ-2的设计注重散热性能，同时具备良好的耐热特性和抗浪涌能力，使其在恶劣的工作环境下也能保持稳定运行。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：48A
　　导通电阻：1.3mΩ
　　总栅极电荷：98nC
　　输入电容：2420pF
　　功耗：180W
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关特性，减少开关损耗。
　　3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 具备低寄生电感的优化封装设计，适合高频应用。
　　5. 热稳定性强，能够在高温环境下长期运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅材料制造。

应用

FS70VSJ-2主要应用于各种需要高效功率转换的场合，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
　　3. 工业自动化设备中的负载开关。
　　4. 汽车电子系统中的大电流开关。
　　5. LED照明驱动器中的功率管理元件。
　　6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率级组件。