时间：2025/6/13 18:43:11
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FS55X226M250EHG是一款高性能的IGBT模块，专为工业应用设计，采用先进的沟槽栅极技术以优化开关性能和热效率。该模块具有高可靠性、低导通损耗以及出色的短路耐受能力，适用于逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动等领域。
该IGBT模块由多个芯片并联组成，提供更高的电流处理能力和更低的热阻，从而确保在高功率密度应用中的稳定性。此外，它还集成了快速恢复二极管（FWD），进一步提升了整体效率和动态性能。
额定电压：1200V
额定电流：75A
芯片面积：38mm2
开通时间：100ns
关断时间：150ns
最大工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
热阻：0.2°C/W
1. 高效的沟槽栅极结构，显著降低导通损耗。
2. 内置快速恢复二极管（FWD），具备低正向压降和快速恢复特性。
3. 支持高频开关操作，减少电磁干扰（EMI）问题。
4. 优化的封装设计，提升散热性能并延长使用寿命。
5. 强大的短路保护能力，确保在极端条件下的安全运行。
6. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
1. 工业电机驱动系统。
2. 太阳能逆变器及风能发电系统。
3. 不间断电源（UPS）和应急电源设备。
4. 电动汽车牵引逆变器。
5. 焊接设备和其他大功率电力电子装置。
FS55X226M250EHH, FS55X226M250EJG
