时间：2025/12/28 3:54:55
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FS50UMJ-2是一款由Fairchild Semiconductor（现属于onsemi）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用先进的平面技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点，适用于高效率DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及其他需要高性能MOSFET的应用场景。其封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能和机械强度，便于在各种工业和消费类电子产品中集成使用。该MOSFET设计用于在高频率下工作，同时保持较低的导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统的能效。此外，FS50UMJ-2还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在瞬态过压情况下的可靠性，适合在严苛的工作环境中长期稳定运行。
该器件的栅极阈值电压适中，确保了与标准逻辑电平驱动电路的良好兼容性，同时也支持多种栅极驱动配置以优化动态性能。由于其优异的电气特性和坚固的封装结构，FS50UMJ-2成为许多中等功率应用中的首选MOSFET之一。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：50A @ 25°C
脉冲漏极电流（Idm）：200A
导通电阻Rds(on)：0.075Ω @ Vgs = 10V, Id = 25A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：3V ~ 5V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
功耗（Pd）：200W
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
输入电容（Ciss）：4000pF @ Vds = 250V
输出电容（Coss）：950pF @ Vds = 250V
反向恢复时间（trr）：65ns
FS50UMJ-2具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻Rds(on)显著降低了在大电流条件下的导通损耗，提升了电源系统的整体效率。这一特性使其特别适用于高负载条件下要求高效能转换的应用，例如服务器电源、电信设备电源模块以及工业电机控制电路。器件的高电流承载能力（50A连续漏极电流）结合高达200A的脉冲电流能力，使其能够应对短时峰值负载或启动冲击电流，增强了系统的鲁棒性。
该MOSFET采用优化的晶圆工艺，实现了良好的跨导和电荷平衡特性，有助于减少开关过程中的能量损耗。其输入电容和输出电容的合理匹配使得在高频开关应用中能够实现快速且稳定的开关动作，降低电磁干扰（EMI）并提升系统响应速度。此外，反向恢复时间较短（65ns），配合体二极管的优良性能，可有效抑制因感性负载引起的电压尖峰，防止器件发生二次击穿。
FS50UMJ-2具有较强的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大结温可达150°C，并配备高效的TO-220封装，便于安装散热器以进一步增强散热能力。这种设计不仅延长了器件的使用寿命，也提高了系统在恶劣环境下的可靠性。同时，该器件通过了多项国际安全与可靠性认证，符合RoHS环保要求，适用于全球范围内的电子制造项目。
FS50UMJ-2广泛应用于各类中高功率开关电源系统，包括AC-DC和DC-DC转换器，特别是在服务器电源、通信电源、工业电源模块等领域表现突出。其高耐压（500V）和大电流能力使其适用于PFC（功率因数校正）电路中的升压开关管，能够有效提升电源的功率因数并降低谐波失真。
在电机驱动应用中，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构中作为主开关元件，驱动直流电机或步进电机，尤其适合对效率和响应速度有较高要求的自动化控制系统。此外，它还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆变器等新能源相关设备中，承担能量转换和调控的关键任务。
由于其良好的热性能和抗雪崩能力，FS50UMJ-2也常被用于家电产品如空调、洗衣机的变频控制模块中，确保长时间运行的稳定性与安全性。在照明领域，特别是大功率LED驱动电源中，该器件可用于恒流调节和开关控制，提供稳定可靠的光源供电方案。总之，凡涉及高压、大电流、高效率开关操作的场合，FS50UMJ-2均是一个可靠的选择。
KSE50UMJ-2
STP50NM50
FQP50N50
