FS50SMJ 时间：2025/12/28 4:44:00 阅读：14

FS50SMJ是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的肖特基势垒二极管，采用SMC（DO-277B）封装形式，广泛应用于高效率电源转换和整流电路中。该器件具有低正向压降、快速开关特性以及较高的反向击穿电压，适用于多种工业、消费类电子及通信设备中的功率管理应用。其主要设计目标是提高系统效率并降低热损耗，尤其在开关模式电源（SMPS）、逆变器、直流-直流转换器和续流/箝位电路中表现出色。
　　FS50SMJ的命名规则中，“F”代表快恢复或整流二极管系列，“S”表示肖特基类型，“50”通常指其最大重复峰值反向电压（VRRM）为50V，“SMJ”则标识了其封装与电流等级。该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的环境温度范围内稳定工作，适合自动化贴片生产流程。由于其表面贴装封装设计，FS50SMJ有助于节省PCB空间，并提升整体系统的功率密度。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品对环保和能效的严格要求。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：单只
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：50V
　　最大直流阻断电压（VR）：50V
　　平均整流电流（IO）：5.0A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms单半波）
　　正向电压（VF）：典型值0.54V，最大值0.62V（在5.0A, TJ=25°C条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA（在50V, TJ=25°C）；10mA（在50V, TJ=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SMC（DO-277B）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻结至外壳（RθJC）：约2.5°C/W
　　热阻结至环境（RθJA）：约40°C/W（依赖PCB布局）

特性

FS50SMJ的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，从而显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体转换效率。这一特性对于高频率开关电源尤为重要，因为在高频下导通损耗占总损耗的主要部分。当器件在5A电流下工作时，其典型正向压降仅为0.54V，远低于传统PN结二极管（通常为0.7V以上），这意味着每安培可减少约0.16W的功耗，极大缓解了散热设计压力。
　　该器件还具备优异的开关性能，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间几乎可以忽略不计，有效避免了开关过程中因反向恢复电荷引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI）问题。这使得FS50SMJ特别适用于高频DC-DC变换器、同步整流替代方案以及需要快速响应的电路拓扑中。
　　FS50SMJ的SMC封装不仅提供了良好的机械强度和热传导性能，还能承受高达150A的短时浪涌电流，增强了系统在启动或负载突变情况下的鲁棒性。其-65°C至+150°C的宽工作结温范围使其可在极端环境下可靠运行，适用于汽车电子、工业控制等严苛应用场景。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保长期使用的稳定性与寿命。

应用

FS50SMJ因其高效率、小体积和高可靠性，被广泛应用于各类电力电子系统中。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为输出整流二极管，尤其是在低压大电流输出场景下，如计算机主板供电、服务器电源模块和LCD电视电源板等。由于其低VF特性，能够有效减少能量损失，提升电源效率，满足能源之星等节能认证要求。
　　在直流-直流转换器中，特别是降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中，FS50SMJ常用于续流（Freewheeling）或箝位（Clamping）功能，防止电感电流突变造成的电压尖峰损坏主控芯片。此外，在逆变器和UPS不间断电源系统中，该器件可用于防止反向电流流动，保护主电路元件。
　　在电池充电管理系统和便携式设备中，FS50SMJ也可作为防反接或隔离二极管使用，防止电池反向放电或多个电源路径之间的相互干扰。同时，它也适用于太阳能充电控制器、LED驱动电源和电信整流模块等领域。得益于其表面贴装封装，非常适合自动化生产和紧凑型设计需求，广泛服务于消费电子、工业自动化、通信基础设施和汽车电子等多个行业。