类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：TO-220AB
　　制造商：ON Semiconductor（安森美）
　　配置：单路
　　工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
　　安装类型：通孔
　　反向重复峰值电压（VRRM）：50V
　　平均整流电流（Io）：5A
　　正向压降（VF）：典型值850mV @ 5A，最大值1.0V @ 5A
　　反向漏电流（IR）：典型值50μA @ 50V，25°C；高温下可达400μA @ 50V，125°C
　　浪涌电流能力（IFSM）：150A @ 8.3ms 半正弦波
　　结温（Tj）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJA）：约50°C/W（取决于PCB布局）
　　引脚数：2

FS50SM-5A的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低正向导通压降。在5A的工作电流下，其典型正向压降仅为850mV，最大不超过1.0V，这大大减少了导通损耗，提高了整体电源系统的效率。相比于传统快恢复二极管，该器件无需考虑反向恢复时间（trr），因为肖特基二极管本质上是多数载流子导电器件，不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关应用中可有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。此外，该器件具备高达150A的非重复浪涌电流承受能力，能够应对启动瞬间或负载突变时的大电流冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　该器件的热性能表现优异，TO-220AB封装提供了良好的散热路径，配合适当的PCB铜箔面积设计，可有效将结温控制在安全范围内。其宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C）使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。器件的反向漏电流在常温下非常低（典型值50μA），但在高温环境下会有所上升，设计时需注意热失控风险，尤其是在并联使用或多层堆叠布局中。尽管肖特基二极管的反向耐压通常低于硅基PN结二极管，但50V的VRRM已足够覆盖许多低压输出的反激式或正激式电源拓扑。此外，该器件符合环保法规要求，采用无铅焊接工艺和绿色材料制造，支持现代电子产品对可持续发展的需求。

FS50SM-5A广泛应用于各类需要高效整流功能的电源系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作次级侧整流元件，特别是在输出电压为3.3V、5V或12V的低电压大电流电源中，其低正向压降特性有助于提升转换效率。在DC-DC转换器中，无论是隔离型还是非隔离型拓扑，该器件均可作为同步整流的替代方案或用于防止反向电流流动。在逆变器系统中，如太阳能逆变器或UPS不间断电源，FS50SM-5A可用于续流或箝位功能，确保功率开关器件的安全关断并抑制电压尖峰。此外，它也适用于电机驱动电路中的自由轮续流二极管，保护IGBT或MOSFET免受反电动势损害。
　　在消费类电子产品中，例如台式机电源、笔记本适配器、LED驱动电源等，该器件因其高可靠性和高效率而受到青睐。工业控制系统中的PLC电源模块、传感器供电单元也常采用此类高性能肖特基二极管以保证长时间稳定运行。由于其通孔安装形式，FS50SM-5A便于手工焊接和维修，适用于中小批量生产和原型开发场景。同时，其坚固的封装结构使其在振动或温度变化剧烈的环境中仍能保持良好性能。值得注意的是，在高频应用中应避免超过其热极限，并建议搭配散热片使用以延长寿命。

SBT50M05P3L-E3\nSS510-SMC\nMBR550\nSTPS50SM50CT\nVS-50SQ050