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FS4UM-12 发布时间 时间:2025/12/26 19:21:26 查看 阅读:12

FS4UM-12是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的表面贴装肖特基势垒整流二极管,专为高效率、小尺寸电源应用设计。该器件采用紧凑的SC-75(SOT-457)封装,适用于需要节省PCB空间的便携式电子设备和高密度电路板设计。FS4UM-12的核心功能是实现单向电流导通,利用肖特基势垒技术显著降低正向导通压降(VF),从而减少功率损耗并提升系统整体能效。其典型应用包括开关模式电源(SMPS)、逆变器、续流与箝位电路、DC-DC转换器以及电池充电管理电路等。该二极管具备快速反向恢复特性,由于其工作原理基于多数载流子导电,几乎不存在反向恢复电荷(Qrr),因此在高频开关环境中表现出色,可有效降低开关噪声和电磁干扰(EMI)。此外,FS4UM-12符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,并具有良好的热稳定性和可靠性,能够在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作,适用于工业、消费类及通信领域的多种严苛环境。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  极性:单路
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大直流阻断电压(VR):40V
  最大均方根电压(VRMS):28V
  最大正向平均电流(IF(AV)):1A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
  最大正向压降(VF):0.5V @ 1A, 25°C
  最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 40V, 25°C
  反向恢复时间(trr):典型值5ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
  封装形式:SC-75(SOT-457)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

FS4UM-12的核心优势在于其低正向压降与快速开关响应的结合,使其成为高效率电源转换系统的理想选择。
  该器件的正向压降在1A电流下仅为0.5V左右,相比传统PN结二极管(通常为0.7V以上)显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率,尤其在低压大电流输出的应用中效果更为明显。这种低VF特性还能减少热量产生,从而降低对散热设计的要求,有助于实现更紧凑的产品结构。
  其次,由于肖特基二极管的工作机制不依赖少数载流子的注入与复合,因此其反向恢复时间极短,典型值仅为5ns,几乎不存在反向恢复电荷(Qrr)。这一特性使得FS4UM-12在高频开关电路中能够有效抑制电压尖峰和振荡,避免因反向恢复引起的额外功耗和EMI问题,特别适合用于同步整流、BUCK/BOOST拓扑中的续流二极管或箝位保护。
  此外,FS4UM-12采用SC-75小型化封装,尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 1.1mm,非常适合空间受限的应用场景,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式电子产品。
  该器件还具备良好的热性能和可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的电气特性,最大结温可达150°C,确保长期运行的安全性。同时,其高达30A的峰值浪涌电流能力使其能够承受瞬态过流冲击,增强了系统鲁棒性。综合来看,FS4UM-12凭借其高效、快速、小型化和高可靠性的特点,在现代电源管理领域具有广泛的应用价值。

应用

FS4UM-12广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。
  在便携式消费类电子产品中,如手机、平板电脑和蓝牙耳机等,它常被用作电池充电路径中的防反接二极管或电源切换电路中的OR-ing二极管,确保多个电源源之间的无缝切换并防止电流倒灌。
  在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,FS4UM-12作为输出整流二极管或续流二极管使用,特别是在非隔离式Buck、Boost和Flyback拓扑中,其低VF和快恢复特性有助于提高转换效率并减少热积累。
  此外,在逆变器和驱动电路中,该器件可用于感应负载(如电机、继电器)的反电动势箝位保护,防止高压尖峰损坏主控开关器件(如MOSFET或IGBT),起到能量回馈和电路保护的作用。
  在适配器和USB供电设备中,FS4UM-12也常用于次级侧整流,替代传统快恢复二极管以提升整体能效。
  工业控制模块、传感器供电单元和低电压逻辑接口电路中同样可以见到其身影,用于信号整流、电平隔离和电源冗余设计。
  得益于其小型化封装和表面贴装特性,FS4UM-12非常适合自动化贴片生产,适用于大规模量产场景。其宽泛的工作温度范围也使其能在汽车电子、工业环境等较恶劣条件下稳定运行。总之,无论是在追求高效率的小功率电源,还是在强调可靠性的复杂系统中,FS4UM-12都是一种性能优异且经济实用的整流解决方案。

替代型号

MBR0540, SS14, BAS40-04, PMEG4010CPD, RB520S40

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