时间：2025/5/30 19:20:37
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FS43X155K101EGG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等。该器件封装形式紧凑，适合高密度电路板设计。
型号：FS43X155K101EGG
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：43V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：155A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷(Qg)：78nC
输入电容(Ciss)：3690pF
输出电容(Coss)：790pF
反向传输电容(Crss)：245pF
功耗(PD)：220W（结温 25°C）
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
FS43X155K101EGG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 155A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能，具备低栅极电荷 Qg 和优化的寄生电容，适用于高频操作。
4. 增强的热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围，适应极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特点使 FS43X155K101EGG 成为高效功率转换和电机控制的理想选择。
FS43X155K101EGG 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS) 中的主开关或同步整流器。
2. 电信设备中的 DC-DC 转换器。
3. 工业电机驱动和逆变器。
4. 电动车(EV) 和混合动力车(HEV) 的电力电子系统。
5. 大功率 LED 驱动器。
6. 各种负载开关和保护电路。
由于其卓越的性能和可靠性K101EGG 在需要高效功率管理的场合中表现优异。
FS43X150K101EGG, IRFZ44N, FDP157N04SBD
