FS43X106K500EGG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点。
其封装形式为 TO-263(DPAK),具备较高的电流承载能力,同时能够有效降低功耗并提升系统的整体效率。这种器件非常适合于需要高效能与稳定性的工业及消费电子应用中。
型号:FS43X106K500EGG
类型:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
额定电压:60V
额定电流:43A
导通电阻:5mΩ
栅极电荷:19nC
最大工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-263 (DPAK)
漏源击穿电压:60V
连续漏极电流:43A
栅源开启电压:2.1V
总功耗:28W
FS43X106K500EGG 的关键特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻,仅为 5mΩ,显著减少了功率损耗。
2. 高速开关性能,适用于高频开关应用。
3. 高度优化的热设计,确保在高负载条件下仍能保持稳定的运行状态。
4. 较宽的工作温度范围,支持从 -55°C 到 +175°C 的极端环境使用。
5. 封装坚固耐用,适合表面贴装技术(SMT)和自动化生产流程。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
FS43X106K500EGG 广泛用于多种电力电子应用中,具体包括:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
2. 电机驱动电路中的开关元件。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 消费类电子产品中的高效 DC-DC 转换器。
6. LED 驱动器和其他需要高效率功率处理的应用场景。
FS40X105K500EGG, IRFZ44N, FDP5500