类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：31A
　　漏源击穿电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.12Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

FS31N20DP 具有低导通电阻的特点，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力（200V）使其适用于多种中高电压应用环境。该MOSFET具备较强的电流承载能力，在连续漏极电流达到31A的情况下仍能保持稳定工作。
　　此外，FS31N20DP 采用了先进的沟槽栅极技术，提高了器件的开关性能和热稳定性。其TO-220封装不仅便于散热，也易于安装在散热片上，从而进一步提升器件在高功率条件下的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），便于与多种控制电路兼容。其导通电阻随温度变化较小，确保了在高温条件下仍能保持良好的性能。此外，FS31N20DP 还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受能力，增强了其在恶劣工作环境下的稳定性和寿命。

FS31N20DP 主要应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。例如，它可以用于设计高效的DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池充电器以及电机驱动电路等。
　　在工业自动化领域，该MOSFET可作为高性能开关元件用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出模块或继电器替代方案，提供更长的使用寿命和更高的响应速度。在消费类电子产品中，FS31N20DP 可用于LED照明调光、电源管理模块等应用。
　　此外，该器件还适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及电动汽车中的功率控制系统等高要求场景。由于其优异的导通特性和高可靠性，FS31N20DP 在许多需要高效能功率开关的场合中都是理想选择。

FDMS86180, IRFPG50, FDPF31N20