时间：2025/6/29 10:48:04
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FS31B226K250EPG 是一款高性能的功率 MOSFET，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用 N 沟道技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功耗并提升系统效率。其封装形式为行业标准的 PG-DSO-8 封装，便于安装与散热。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：220mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：450pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
FS31B226K250EPG 的低导通电阻设计使其非常适合于高效率应用场合，特别是在中等功率范围内的 DC-DC 转换器和电机控制电路中表现优异。此外，该器件的高开关速度有助于减少开关损耗，并且其坚固的 ESD 防护性能可以提高系统的可靠性。
该器件还具备以下特点：
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输；
2. 高速开关能力适应高频工作环境；
3. 符合 RoHS 标准，环保无铅；
4. 强大的热稳定性，适合高温工业环境。
FS31B226K250EPG 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）；
2. DC-DC 转换器；
3. 电机驱动和控制；
4. 工业自动化设备中的负载切换；
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路；
6. 家用电器中的功率管理模块。
FDP18N25E, IRFZ44N, STP45NF06L
