时间：2025/5/28 11:42:33
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FS18X225K100PBG是一款高性能的场效应晶体管（FET），广泛应用于开关和功率控制电路。该器件采用先进的制造工艺，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于需要高效能和可靠性的工业及消费类电子应用。
这款芯片属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式为PBG（Power Block Package），能够有效提升散热性能并优化空间利用率。它在各类电源管理、电机驱动以及负载切换等场景中表现优异。
最大漏源电压：18V
连续漏极电流：225A
导通电阻（典型值）：1.0mΩ
栅极电荷：35nC
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃至+175℃
FS18X225K100PBG的主要特性包括：
1. 高电流承载能力，支持高达225A的连续漏极电流，适用于大功率应用。
2. 极低的导通电阻（1.0mΩ），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，栅极电荷仅为35nC，降低动态损耗。
4. 优异的热稳定性，能够在高温环境下长期稳定运行。
5. 强大的抗浪涌能力和鲁棒性，确保在复杂电磁环境中的可靠性。
6. 紧凑的PBG封装设计，便于安装且具备良好的散热性能。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 工业设备中的电机驱动与控制。
2. 高效DC-DC转换器和开关电源的设计。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
4. 大功率LED驱动器以实现精确亮度调节。
5. 各类家电产品中的功率管理和节能方案。
6. 充电器和适配器中作为关键功率器件。
FS18X200K120PBG
IRF2807
STP220N10F7
