FS18X225K100PBG是一款高性能的场效应晶体管(FET),广泛应用于开关和功率控制电路。该器件采用先进的制造工艺,具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于需要高效能和可靠性的工业及消费类电子应用。
这款芯片属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为PBG(Power Block Package),能够有效提升散热性能并优化空间利用率。它在各类电源管理、电机驱动以及负载切换等场景中表现优异。
最大漏源电压:18V
连续漏极电流:225A
导通电阻(典型值):1.0mΩ
栅极电荷:35nC
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃至+175℃
FS18X225K100PBG的主要特性包括:
1. 高电流承载能力,支持高达225A的连续漏极电流,适用于大功率应用。
2. 极低的导通电阻(1.0mΩ),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度,栅极电荷仅为35nC,降低动态损耗。
4. 优异的热稳定性,能够在高温环境下长期稳定运行。
5. 强大的抗浪涌能力和鲁棒性,确保在复杂电磁环境中的可靠性。
6. 紧凑的PBG封装设计,便于安装且具备良好的散热性能。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 工业设备中的电机驱动与控制。
2. 高效DC-DC转换器和开关电源的设计。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
4. 大功率LED驱动器以实现精确亮度调节。
5. 各类家电产品中的功率管理和节能方案。
6. 充电器和适配器中作为关键功率器件。
FS18X200K120PBG
IRF2807
STP220N10F7