型号：FS18RM-10
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：18A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　导通电阻（RDS(on)）：10mΩ（@VGS=10V）
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：2200pF（@VDS=50V）
　　输出电容（Coss）：650pF（@VDS=50V）
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

FS18RM-10具备出色的电气性能和热管理能力，其核心优势之一是极低的导通电阻（RDS(on)），仅为10mΩ，在高电流应用中显著减少功率损耗，提高系统效率。该特性使得器件在大电流负载条件下仍能保持较低的温升，从而提升系统的可靠性与寿命。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，优化了载流子迁移路径，进一步增强了电流处理能力和开关响应速度。
　　该器件具有较高的输入阻抗和快速的开关特性，适合高频开关电源应用，例如开关模式电源（SMPS）、同步整流电路等。其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路的能量消耗，使控制器更容易驱动多个并联MOSFET而不增加过多负担。同时，FS18RM-10具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供一定的自我保护功能，增强了系统的鲁棒性。
　　热性能方面，FS18RM-10采用TO-263表面贴装封装，底部带有散热片，可通过PCB上的铜箔或散热焊盘有效传导热量，实现高效散热。这种封装方式不仅节省空间，还便于自动化装配，适用于大规模生产环境。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　此外，FS18RM-10通过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保长期使用的稳定性。其符合AEC-Q101车规级认证的可能性也使其成为车载电源系统中的优选器件之一。综合来看，FS18RM-10是一款集高性能、高可靠性和易用性于一体的功率MOSFET，适用于多种复杂电力电子系统的设计需求。

FS18RM-10广泛应用于各类中高功率电源转换系统中。典型用途包括DC-DC升压/降压转换器，特别是在多相 buck 转换器中作为低侧或高侧开关使用，凭借其低RDS(on)和高电流能力，可有效降低导通损耗，提升转换效率。该器件也常用于同步整流电路，在反激式或正激式开关电源中替代传统肖特基二极管，显著减少整流过程中的能量损耗，尤其适用于高能效要求的适配器、充电器和LED驱动电源。
　　在电机控制领域，FS18RM-10可用于H桥或半桥拓扑结构中的功率开关元件，驱动直流电机或步进电机，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。其快速开关特性和高耐流能力有助于实现精确的PWM调速控制，并减少发热问题。
　　此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）、逆变器、UPS不间断电源以及太阳能微逆变器等新能源相关设备中，承担主功率开关或保护开关的角色。在这些应用中，FS18RM-10的高可靠性和宽温度工作范围确保系统在各种环境条件下都能安全稳定运行。
　　由于其表面贴装封装形式，FS18RM-10也适用于需要紧凑布局和自动化生产的消费类电子产品，如笔记本电脑主板、服务器电源模块和通信基站电源单元。总之，该器件凭借其优异的综合性能，已成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件之一。

IRF18N10PBF
　　STP18NF10
　　FQP18N10