时间：2025/5/23 7:18:03
阅读：29
FS18B225K160PBG 是一款高性能、大功率的场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关应用和高电流负载场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款 MOSFET 主要用于直流-直流转换器、电机驱动、电源管理模块以及电池保护电路等场合。其封装形式为 PBG（Power Block GAIA），具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在严苛环境下工作。
最大漏源电压：225V
连续漏极电流：160A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：95nC
开关时间：ton=45ns, toff=35ns
结温范围：-55℃至+175℃
FS18B225K160PBG 的主要特性包括超低导通电阻以减少传导损耗，优化的栅极电荷设计实现更快的开关速度，从而降低开关损耗。
此外，该器件具备出色的热稳定性和抗雪崩能力，能够在短路或异常条件下提供额外保护。
其大电流承载能力和高电压耐受性使得 FS18B225K160PBG 成为工业级应用的理想选择，例如电动汽车牵引逆变器、太阳能逆变器和不间断电源系统（UPS）。
同时，其紧凑型封装有助于简化 PCB 布局并节省空间。
该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域，如汽车电子中的电动助力转向系统（EPS）及制动能量回收装置；消费类电子产品中的笔记本适配器和快充头；工业设备中的伺服驱动和可编程逻辑控制器（PLC）。
另外，在电信基础设施中，它也可用于基站电源单元和远程射频头的供电部分。
IRFP260N
FDP18N20
STP160N20E
