类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）：850mV @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 30V
　　工作结温范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：170°C/W
　　安装类型：表面贴装

FS10VS-9的核心优势在于其基于肖特基势垒原理设计的金属-半导体结结构，这种结构使得它相比传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降和极短的开关时间。在正常工作条件下，当通过1A电流时，其典型正向压降仅为约850mV，相较于普通硅二极管（通常为0.7V以上），虽然绝对值接近，但由于其无少子存储效应，整体功耗更低，尤其在高频开关环境下表现更为出色。这一特性有效降低了系统的传导损耗，提高了电源转换效率，对于电池供电设备或对能效有严格要求的应用尤为重要。
　　该器件的反向恢复时间几乎可以忽略不计，因为肖特基二极管的导电机理主要依赖多数载流子（电子）运动，而不涉及空穴注入与复合过程，因此不会产生显著的反向恢复电荷（Qrr）。这不仅减少了开关瞬间的能量损耗，还抑制了因快速电流变化引起的电压尖峰和电磁噪声，有助于改善整个电源系统的EMI性能，简化滤波电路设计。此外，低Qrr特性也使其非常适合用于同步整流替代方案或作为自举电路中的隔离二极管。
　　FS10VS-9采用SMA封装，具有较小的占板面积和良好的散热能力，适合自动化贴片生产流程，提升了大批量制造的效率和一致性。其额定峰值浪涌电流可达30A，表明其具备较强的瞬态过载承受能力，可在启动冲击或负载突变情况下保持可靠运行。同时，宽泛的工作温度范围（-65°C ~ +150°C）确保其在极端高低温环境中仍能维持稳定的电气性能，满足工业级甚至部分汽车级应用的需求。
　　值得注意的是，尽管肖特基二极管普遍存在较高的反向漏电流，但FS10VS-9在30V反向电压下最大漏电流控制在200μA以内，属于同类产品中的较优水平，平衡了低VF与IR之间的矛盾。结合其30V的耐压等级，该器件特别适用于5V、12V或24V系统中的低压整流任务，如适配器、LED驱动电源、主板VRM电路等。此外，其符合RoHS指令并采用无铅工艺制造，支持现代环保法规要求，适用于出口型电子产品设计。

FS10VS-9因其出色的电气特性和紧凑封装，广泛应用于多种电源相关领域。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作次级侧的整流二极管，尤其是在低输出电压、大电流输出的拓扑结构中，例如反激式、正激式或半桥变换器，利用其低正向压降减少导通损耗，提高整体转换效率。在DC-DC转换器模块中，该器件可用作续流二极管（Freewheeling Diode），在开关管关断期间为电感电流提供回路，防止电压反冲损坏主控芯片。
　　在电池充电管理系统和便携式电子设备（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机充电器）中，FS10VS-9可用于电源路径管理或反向极性保护，防止因电池接反而导致电路损坏。同时，它也可作为防倒灌二极管使用，避免多个电源输入之间相互干扰。
　　在汽车电子系统中，虽然该器件未专门标定为AEC-Q101认证器件，但在非关键性辅助电源电路中仍可使用，例如车载充电器、LED照明电源或小型电机驱动电路中的箝位和保护元件。此外，在工业控制设备、网络通信设备和家用电器的电源单元中，FS10VS-9凭借其高可靠性与稳定性，承担着整流、隔离和瞬态抑制等多种功能。
　　由于其表面贴装封装形式，特别适合高密度印刷电路板布局，广泛用于空间受限的小型化电子产品设计中。同时，其良好的热性能和机械强度也保证了在长时间运行下的安全性与耐用性，是现代高效能、小型化电源设计中不可或缺的关键元器件之一。