型号：FS10SM-9
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900 V
　　最大连续漏极电流（Id）：1.0 A（@25°C）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：4.0 A
　　最大耗散功率（Pd）：20 W
　　导通电阻Rds(on)：典型值12.5 Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压Vgs(th)：典型值3.0 V（范围2.0~4.0 V）
　　栅极电荷Qg：典型值35 nC
　　输入电容Ciss：典型值55 pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间trr：典型值67 ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SM（类似TO-263/SMC表面贴装）

FS10SM-9的核心特性之一是其高达900V的漏源击穿电压，这使得它非常适合用于离线式开关电源设计中，尤其是在AC-DC转换器中作为主开关器件使用。在高压应用中，器件必须能够承受瞬态过压和雷击浪涌，而FS10SM-9的设计确保了其在极端条件下的可靠性和稳定性。其N沟道增强型结构提供了正向偏置下的良好导通能力，并且在关断状态下具有极低的漏电流，从而降低了待机功耗。
　　另一个关键特性是其优化的动态参数。该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有助于提高电源系统的整体效率。同时，较短的反向恢复时间（trr）减少了体二极管在续流过程中的损耗，特别适用于硬开关拓扑如反激式（Flyback）和正激式（Forward）转换器。这对于减少电磁干扰（EMI）和热积累非常有利。
　　在热性能方面，FS10SM-9采用SM表面贴装封装，这种封装不仅节省空间，还具备较好的散热能力，可通过PCB上的铜箔进行有效热传导。其最大功耗为20W，在适当的散热条件下可长时间稳定运行。此外，该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其可在严苛环境温度下正常工作，适用于工业级和户外应用场景。
　　从可靠性角度看，FS10SM-9经过严格的生产测试和质量控制流程，具备高抗雪崩能力和长期稳定性。其阈值电压分布合理，保证了批量使用时的一致性。器件还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰度，防止因电压或电流突变引起的误触发或损坏。这些综合特性使其成为高性能、高可靠性电源设计中的优选器件。

FS10SM-9主要应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要将交流市电转换为直流电压的场合。例如，在通用输入电压范围（85~265V AC）的反激式开关电源中，该MOSFET常被用作主开关管，负责周期性地切断和接通变压器初级侧电流，从而实现能量传递与电压变换。这类电源广泛存在于手机充电器、笔记本电脑适配器、家用电器电源模块以及LED照明驱动电源中。
　　在工业自动化领域，FS10SM-9可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电单元和小型电机驱动器中的DC-DC转换电路。由于其具备较高的耐压能力和稳定的开关特性，即使在电网波动较大的环境中也能保持输出电压的稳定。此外，在太阳能微逆变器或储能系统的辅助电源部分，该器件也可发挥重要作用，提供可靠的隔离式电源转换功能。
　　通信设备中的板载电源（Point-of-Load, POL）也常采用FS10SM-9进行前级降压或隔离设计。在这些应用中，电源需具备高效率、小体积和长寿命，而该MOSFET的低损耗和表面贴装特性正好满足这些要求。同时，其符合RoHS标准的特点也便于出口型设备通过环保认证。
　　除了传统的电源应用外，FS10SM-9还可用于电子镇流器、不间断电源（UPS）的待机电源模块以及智能电表的电源部分。在这些对可靠性和能效有较高要求的应用中，该器件展现出优异的综合性能。随着电力电子技术的发展，越来越多的小型化、集成化设备倾向于选用此类高压MOSFET来实现高效能的功率控制。

FSC10SM65A
　　KSB10SM-9