FS10KMJ-06是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的表面贴装硅PIN肖特基二极管阵列,专为高速开关和信号保护应用设计。该器件采用独特的PIN-Schottky结构,结合了PIN二极管的高耐压特性和肖特基二极管的低正向导通电压优势,能够在高频工作条件下提供优异的性能表现。FS10KMJ-06封装在紧凑的SC-70-6封装中,具有良好的热稳定性和电气隔离能力,适合在空间受限的便携式电子设备中使用。该器件广泛应用于通信接口、USB端口保护、LCD偏置电路以及各种需要快速响应和低功耗特性的场合。
该器件的主要特点之一是其双向静电放电(ESD)保护能力,能够有效抑制瞬态电压脉冲,防止敏感电路受到损坏。其内部结构包含多个集成的PIN-Schottky结,可实现对差分信号线或单端信号路径的高效保护。此外,由于采用了先进的半导体工艺制造,FS10KMJ-06具备较低的结电容,有助于减少信号失真,提升数据传输速率,适用于高速数字接口环境。
型号:FS10KMJ-06
制造商:ON Semiconductor (ONSEMI)
封装类型:SC-70-6
通道数:2
极性:双通道双向
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-65°C ~ 150°C
峰值脉冲功率(PPPM):300W
反向击穿电压(VBR):最小6.8V,典型值7.5V
击穿电流(IBR):1mA
最大钳位电压(VC):14.4V @ IPP = 1A
最大反向待机电压(VRWM):6.0V
最大反向漏电流(IR):1μA @ VR = 6V
结电容(Cj):典型值5pF @ Vr = 0V, f = 1MHz
引脚数量:6
安装方式:表面贴装(SMD)
热阻θJA:约250°C/W
FS10KMJ-06的核心特性在于其高性能的瞬态电压抑制能力与低电容设计的完美结合,使其成为高速信号线路保护的理想选择。该器件采用双通道双向布局,每个通道均可独立承受高达300W的峰值脉冲功率(基于IEC 61000-4-2标准),能够有效抵御来自人体模型(HBM)、机器模型(MM)及系统级ESD事件带来的瞬态冲击。其钳位电压仅为14.4V,在遭遇高压瞬变时能迅速将能量泄放到地,从而保护后级集成电路免受过压损害。这种低钳位电压特性显著提升了系统的可靠性,尤其适用于微处理器、FPGA、ASIC等精密逻辑器件的I/O端口防护。
另一个关键优势是其极低的结电容(典型值5pF),这一参数确保了在高频信号传输过程中不会引入明显的信号衰减或相位延迟,因此非常适合用于USB 2.0、HDMI、SD卡接口、DisplayPort等高速数据链路的ESD保护。即使在GHz级别的频率下,也能保持良好的信号完整性,避免误码率上升或通信中断等问题。此外,低电容还意味着更小的RC时间常数,进一步增强了器件的响应速度,使其能在纳秒级别内完成从截止到导通的切换过程。
FS10KMJ-06的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,表明其不仅适用于常规商业级应用,还能在极端工业或汽车电子环境中稳定运行。器件的封装形式为SC-70-6,尺寸小巧(约2mm x 1.25mm),非常适合高密度PCB布局需求,尤其是在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间极为敏感的产品中具有广泛应用前景。同时,该封装具备良好的散热性能,配合合理的PCB布线设计,可以有效延长器件寿命并提高系统长期运行的稳定性。
FS10KMJ-06主要应用于各类需要高等级静电放电(ESD)保护和瞬态电压抑制的电子系统中。其典型应用场景包括但不限于便携式消费类电子产品中的高速接口保护,如USB Type-A、Type-C端口、音频插孔、SIM卡槽、microSD卡接口等。在这些应用中,用户频繁插拔外设或暴露于干燥环境时极易产生静电,而FS10KMJ-06能够实时检测并吸收高达±30kV的空气放电或接触放电事件,防止主控芯片受损。
在通信领域,该器件可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485收发器、CAN总线节点等工业通信模块的前端保护,提升系统的抗干扰能力和现场适应性。此外,在液晶显示模块中,FS10KMJ-06也可用于VCOM或栅极驱动信号线的瞬态抑制,避免因外部干扰导致屏幕闪烁或图像异常。
在汽车电子方面,尽管该器件未明确标定为AEC-Q101认证产品,但其宽温特性和高可靠性仍使其可用于车载信息娱乐系统、导航设备、倒车影像输入端口等非关键安全系统的信号保护。此外,它还可作为传感器信号调理电路中的前置保护元件,防止雷击感应或电源突波造成的损坏。总之,任何涉及低电压、高频率、易受ESD影响的模拟或数字信号路径均可考虑采用FS10KMJ-06进行可靠防护。
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"FSA10KMJ-06",
"SMF10ATCP6",
"SP1005-06UTG",
"ESD9L5.0ST5G"
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