FS100VSJ-03-T11是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,专为高效、低电压应用设计。该器件采用先进的平面技术制造,具有低正向电压降和快速开关特性,适用于多种电源管理和信号整流场景。其小型化SOD-123FL封装不仅节省电路板空间,还具备良好的热性能和可靠性,适合自动化贴片生产。该二极管的反向重复峰值电压(VRRM)为30V,最大平均整流电流为1A,使其在便携式电子设备和高密度PCB布局中表现出色。FS100VSJ-03-T11符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,体现了对环境友好型设计的支持。该器件广泛用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中,作为续流、箝位或防反接保护元件。得益于其优异的电气性能和稳定的制造工艺,FS100VSJ-03-T11在同类产品中具有较强的竞争力。
型号:FS100VSJ-03-T11
制造商:Diodes Incorporated
封装/外壳:SOD-123FL
二极管类型:肖特基势垒二极管
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大直流阻断电压(VR):30V
最大平均整流电流(IO):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms单半正弦波)
最大正向电压降(VF):520mV(在1A, 25°C条件下)
最大反向漏电流(IR):200μA(在30V, 25°C条件下)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
热阻抗(RθJA):250°C/W(典型值)
安装类型:表面贴装(SMT)
引脚数:2
湿度敏感等级(MSL):1级(260°C,无限时间)
无铅状态:无铅/符合RoHS
FS100VSJ-03-T11采用肖特基势垒结构,利用金属-半导体结实现较低的正向导通压降,相比传统PN结二极管显著降低了功耗。在1A电流下测得的最大正向电压仅为520mV,这一特性对于提高电源转换效率至关重要,尤其在电池供电系统中可有效延长续航时间。此外,由于其载流子输运机制主要依赖多数载流子,该器件几乎不存在少数载流子存储效应,因此具备极快的反向恢复速度,反向恢复时间通常小于10ns,非常适合高频开关应用如开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器等。
该二极管的反向漏电流控制良好,在额定电压30V下室温时不超过200μA,尽管随着温度升高会有所增加,但在正常工作范围内仍保持稳定。其热阻抗约为250°C/W,意味着在自由空气环境中每消耗1W功率,结温将上升约250°C,因此在大电流连续工作时需注意散热设计或适当降低电流负载以确保可靠性。SOD-123FL封装尺寸紧凑(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),有利于高密度PCB布局,并兼容高速贴片机进行自动化装配,提升了生产效率。
FS100VSJ-03-T11通过AEC-Q101汽车级可靠性认证的可能性较高(需查阅最新数据手册确认),使其不仅适用于消费电子,也可用于车载电源系统。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+125°C)确保了在极端环境下的稳定性。此外,器件符合RoHS和无卤素要求,满足现代电子产品对环保法规的严格规定。整体而言,该二极管在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡,是中小功率应用中的理想选择之一。
FS100VSJ-03-T11广泛应用于各类需要高效整流与低损耗开关功能的电子系统中。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,常被用作电源路径管理中的防反接二极管或电池充放电回路的隔离元件,凭借其低正向压降减少能量损失,提升整体能效。在直流电源适配器与AC-DC/DC-DC转换模块中,它作为输出整流二极管使用,尤其是在次级侧同步整流尚未普及的小功率设计中表现优异。
在嵌入式系统和微控制器单元(MCU)供电电路中,该器件可用于电源去耦与电压箝位,防止瞬态电压尖峰损坏敏感逻辑电路。同时,在LED驱动电源中,FS100VSJ-03-T11可用于续流路径,确保电感电流在开关关断期间平稳释放,避免电压反冲。通信设备如路由器、交换机的电源模块也常采用此类肖特基二极管进行输入保护和整流处理。
工业控制领域中,该二极管可用于PLC输入滤波、传感器接口保护以及继电器线圈的续流二极管,抑制电磁干扰(EMI)。此外,在太阳能充电控制器、USB供电电路(如PD或QC协议相关设计)中,其快速响应和低损耗特性有助于提升系统响应速度与转换效率。总之,凡是需要小型化、高效率且成本可控的整流解决方案的场合,FS100VSJ-03-T11都是一个可靠的选择。
SB130WS-7-F
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