类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：40V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：200W
　　导通电阻(Rds(on))：4.0mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-220

FS0404NK具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）仅为4.0mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET具备较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达100A，在高负载条件下依然保持稳定工作。
　　此外，FS0404NK采用了先进的封装技术，确保了良好的热管理和散热性能，使其在高功率密度设计中表现出色。其TO-220封装形式不仅结构坚固，而且便于安装和散热片连接，适用于各种工业级应用。
　　该器件还具有良好的栅极驱动特性，能够在宽范围的栅极电压下稳定工作，适用于多种驱动电路。同时，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的设计灵活性，减少了栅极驱动电路的设计复杂度。
　　在可靠性方面，FS0404NK通过了严格的工业标准测试，具有优异的耐用性和稳定性，能够在恶劣环境下长时间运行。

FS0404NK广泛应用于多个高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制设备。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源转换和功率控制的理想选择。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电源管理系统。

IRF1404, STP100N4F6, FDP047N04