类型：场效应晶体管（FET）
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：40mΩ
　　栅极电荷（Qg）：10nC
　　封装类型：TO-252
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散（PD）：2.5W

FS0404NH是一款N沟道增强型MOSFET，专为高效率和高性能应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，使其在低导通电阻的同时具备出色的开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）仅为40mΩ，能够显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET支持高达4A的连续漏极电流，并可承受高达30V的漏极-源极电压，使其适用于多种中等功率应用，如电源管理、电机驱动和负载开关。此外，其低栅极电荷（Qg）为10nC，有助于减少开关损耗并提高高频操作的效率。
　　FS0404NH采用TO-252封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保其在极端环境下的稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该器件还具备出色的抗静电能力（ESD）和较高的可靠性，符合RoHS环保标准，适用于绿色电子设计。

FS0404NH广泛应用于多种电子设备和系统中，包括：
　　1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提高能效并减少发热。
　　2. 电机驱动电路：用于驱动小型直流电机、步进电机或风扇，提供稳定可靠的功率控制。
　　3. 电池供电设备：如便携式电子产品、无人机和电动工具，优化电池能量利用率。
　　4. 工业自动化设备：如PLC模块、传感器接口和继电器驱动电路，提高系统响应速度和稳定性。
　　5. 通信设备：用于基站电源模块、路由器和交换机的功率管理部分，确保高效率和长期可靠性。

Si4404BDY-T1-GE3, IRF3708PBF, AO4406A