类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　最大漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：40mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

FS0402SH具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流操作时的高效能，从而降低了功率损耗并减少了发热。其次，该MOSFET支持高达4A的连续漏极电流，能够满足对电流承载能力较高的需求。
　　FS0402SH采用SOT-23封装形式，具备小型化和轻量化的特点，非常适合在高密度PCB布局中使用。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽广，可在4.5V至10V之间实现良好的导通性能，从而兼容多种驱动电路设计。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作状态，延长了器件的使用寿命。其最大工作温度可达150°C，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
　　此外，FS0402SH具备快速开关能力，适用于高频开关电路，如DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。其快速响应特性有助于提高系统的整体效率，并减少开关损耗。

FS0402SH广泛应用于多种功率电子设备中。在电源管理领域，该MOSFET常用于同步整流和DC-DC转换器，以提高能量转换效率。在电池供电设备中，FS0402SH可用于负载开关和电池保护电路，帮助延长电池寿命并提升系统稳定性。
　　该器件也适用于马达驱动和LED照明调光电路，提供高效的电流控制能力。此外，在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，FS0402SH可用于电源管理单元（PMU）中的开关元件，实现高效的电能分配。
　　在工业自动化控制系统中，该MOSFET可用于PLC模块、传感器电源控制以及小型继电器替代方案，提高系统的响应速度和可靠性。此外，FS0402SH还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车灯控制模块等。

Si2302DS, AO3400A, FDN304P