FRE004RHBR 时间：2025/7/26 10:57:43 阅读：2

FRE004RHBR 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的沟槽栅技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等应用。FRE004RHBR 采用紧凑的 PowerFLAT 5x6 封装，有助于在高功率密度设计中节省空间。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：180 A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.95 mΩ（最大值，在 Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：100 W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

FRE004RHBR 具备多项优异的电气和热性能特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其能够应对高负载条件下的需求，确保在极端工作环境下仍能稳定运行。FRE004RHBR 还具有良好的热稳定性，得益于其 PowerFLAT 封装的优异散热性能，能够在高功率密度设计中有效管理热应力。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。其坚固的结构设计和宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 175°C) 也使其适用于汽车电子、工业自动化等对可靠性要求较高的应用场景。
　　在动态性能方面，FRE004RHBR 具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。它的栅极电荷（Qg）较低，使得在高频开关应用中更容易实现快速响应和高效能转换。此外，该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在突发短路情况下提供一定程度的自我保护，提高系统的稳定性和可靠性。对于电源设计者而言，这些特性使得 FRE004RHBR 成为一个理想的选择，尤其适用于高效率、高功率密度的电源系统设计。

应用

FRE004RHBR 主要应用于高效率电源转换系统，如同步整流型开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业电机控制、负载开关和汽车电子系统。在汽车电子中，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器以及启停系统中的功率控制部分。此外，由于其高电流能力和低导通电阻，它也广泛用于服务器电源、电信设备电源和高功率 LED 照明驱动电路中。该器件的高频开关特性使其适用于谐振变换器和 LLC 转换器拓扑结构，从而进一步提升系统效率和功率密度。