FR9N20D是一款高压N沟道MOSFET,适用于开关电源、电机驱动、LED照明等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高雪崩能力,能够有效提高系统的效率和可靠性。
FR9N20D的封装形式为TO-252(DPAK),具备良好的散热性能,同时支持表面贴装技术,方便自动化生产。这款MOSFET在多种电力电子应用中表现优异,特别是在需要高频开关和低功耗的场合。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:2A
导通电阻:1.4Ω
栅极电荷:30nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ to +150℃
FR9N20D的主要特性包括以下几点:
1. 高耐压能力:高达600V的漏源极击穿电压使其适合各种高压应用场景。
2. 低导通电阻:仅1.4Ω的Rds(on)有助于减少传导损耗,提升系统效率。
3. 快速开关性能:较低的栅极电荷(Qg)确保了更快的开关速度,降低开关损耗。
4. 高可靠性:具备良好的雪崩能力和热稳定性,可应对严苛的工作环境。
5. 小型化封装:TO-252封装节省空间,满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
6. 宽温范围:能够在-55℃至+150℃范围内稳定工作,适应极端温度条件。
FR9N20D广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为功率开关使用,提供高效的能源转换。
2. LED驱动电路:用于调节LED亮度或实现恒流控制。
3. 电机驱动:驱动小型直流电机或步进电机。
4. 电池保护电路:防止过充、过放和短路等情况发生。
5. 工业控制系统:如继电器驱动、电磁阀控制等。
6. 汽车电子:如车载充电器、电动后视镜等应用。
IRF840A
FQP17N20
STP20NF06L