FR9888是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能开关的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并减少热损耗。
FR9888属于N沟道增强型MOSFET,其设计旨在支持大电流应用,同时保持较低的功耗。它适用于多种工业和消费类电子产品,包括但不限于适配器、充电器、LED驱动器等。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:15A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:25nC
开关速度:30ns
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TO-220
FR9888具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 较高的电流承载能力,能够满足大功率需求。
4. 内置ESD保护电路,提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
5. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境下的运行要求。
6. 封装形式便于安装和散热管理。
FR9888广泛应用于各类电子设备中,具体应用场景包括:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 各种类型的DC-DC转换器,例如降压或升压变换器。
3. 电机驱动电路,用于控制直流电机的速度和方向。
4. LED驱动电路,实现高效的恒流或恒压输出。
5. 充电器和适配器,提供稳定的电压或电流输出。
6. 电池管理系统(BMS),用于保护锂电池或其他储能设备。
IRFZ44N, FQP17N06, PSMN022-60BL