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FR9801S6GTR 发布时间 时间:2025/12/26 23:38:56 查看 阅读:15

FR9801S6GTR是一款由Fremont Micro Devices( Fremont微电子)推出的高性能同步整流控制器芯片,专为反激式(Flyback)电源拓扑中的同步整流应用而设计。该芯片通过精确检测功率MOSFET的漏源极电压(VDS),在适当时刻导通和关断外部同步整流MOSFET,从而替代传统肖特基二极管,显著提高电源转换效率,降低系统功耗和温升。FR9801S6GTR适用于多种低电压、高电流输出的AC-DC电源适配器、充电器以及宽输入电压范围的隔离式DC-DC电源模块。其封装形式为SOT-23-6L,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,广泛应用于消费类电子产品如手机、平板电脑、笔记本电脑电源以及智能家居设备等。
  该芯片具备良好的抗噪声能力和快速响应机制,能够有效避免误触发,确保在复杂电磁环境下稳定运行。此外,FR9801S6GTR集成了多种保护功能,包括过温保护、欠压锁定(UVLO)以及前沿消隐(Leading Edge Blanking, LEB)技术,进一步提升了系统的可靠性与安全性。由于其高集成度和优异的性能表现,FR9801S6GTR已成为众多高效能电源设计中的首选同步整流控制方案之一。

参数

型号:FR9801S6GTR
  封装:SOT-23-6L
  工作电压范围:4.5V ~ 30V
  启动电压:≤4.5V
  关断电压:≤3.8V
  工作频率支持:高达500kHz
  驱动能力:N沟道MOSFET驱动
  静态电流:≤1.2mA
  导通阈值电压(VDS_TH_ON):典型值50mV
  关断阈值电压(VDS_TH_OFF):典型值-50mV
  前沿消隐时间:约250ns
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

FR9801S6GTR采用先进的VDS检测技术,通过对同步整流MOSFET的漏源极电压进行实时监测,实现精准的导通与关断控制。当主开关管关断、次级绕组电压反转时,芯片迅速检测到MOSFET体二极管的导通压降,并在短时间内开启同步整流MOSFET,从而大幅降低导通损耗。相比传统的肖特基二极管整流方式,这种同步整流技术可提升整体电源效率达2%~5%,尤其在低输出电压(如5V、3.3V)大电流应用场景中效果更为显著。芯片内部设有精密比较器和逻辑控制电路,确保即使在轻载或动态负载变化条件下也能保持稳定的整流行为,避免因噪声干扰导致的误动作。
  为了增强系统稳定性,FR9801S6GTR内置了前沿消隐功能,在每个开关周期开始后的一段时间内屏蔽VDS检测信号,防止因开关瞬间产生的电压尖峰或寄生振荡引发误触发。这一设计有效提高了芯片在高频开关环境下的抗干扰能力,保障了电源系统的长期可靠运行。同时,芯片具备自动重启保护机制,当发生异常情况如持续过流或过热时,会进入打嗝模式,周期性尝试重启,直到故障排除为止,避免永久性损坏。
  FR9801S6GTR还优化了启动过程,具有较低的启动电压(≤4.5V),可在输出电压尚未完全建立时即开始工作,加快系统响应速度。其宽工作电压范围(最高达30V)使其适用于多种不同输出电压配置的电源系统,无需额外稳压电路即可直接从输出端取电工作。此外,芯片采用小型化SOT-23-6L封装,引脚排列合理,外围元件极少,典型应用仅需少量无源器件即可完成设计,极大简化了电源开发流程并节省PCB空间。

应用

FR9801S6GTR广泛应用于各类需要高效率、小体积电源解决方案的消费类电子产品中。典型应用包括智能手机、平板电脑和笔记本电脑的USB Type-C或传统USB-PD电源适配器,这些设备对能效等级要求较高,尤其是在空载待机功耗和满载转换效率方面需满足能源之星、CoC Tier 2等国际标准。通过使用FR9801S6GTR作为次级侧同步整流控制器,可以轻松达到六级能效甚至更高标准。
  此外,该芯片也常见于家用路由器、智能音箱、摄像头、电视盒子等智能家居产品的外置电源模块中,帮助制造商在不增加成本的前提下提升产品竞争力。在工业领域,FR9801S6GTR可用于小型工控设备、LED驱动电源及通信设备的辅助电源设计,提供稳定可靠的低压直流输出。由于其出色的温度适应性和抗干扰能力,即使在高温密闭环境中也能长期稳定运行。同时,得益于其高频工作能力,FR9801S6GTR支持使用更小的变压器和滤波元件,有助于实现电源系统的微型化与轻量化设计,符合现代电子产品向便携化发展的趋势。

替代型号

MP6908A

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