时间：2025/8/17 0:29:01
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FR601G 是一款由富昌电子（Fujian Microelectronics）推出的高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件主要设计用于高效电源转换系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制等应用。FR601G 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有优异的导通电阻（Rds(on)）特性和快速开关性能，能够有效降低系统损耗并提升整体效率。其封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：100V
导通电阻（Rds(on)）：≤2.5mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220 / TO-252
FR601G 采用了先进的沟槽式MOSFET结构，使其在导通状态下具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低了导通损耗。该特性在高电流应用中尤为重要，例如电源管理和电机控制领域。
此外，FR601G 的最大漏极电流可达60A，漏源耐压为100V，适用于中高功率的电源转换系统。其高耐压能力和大电流承载能力使其在高压DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用中表现出色。
该器件的栅极电压范围为±20V，具有良好的栅极驱动兼容性，支持常见的驱动电路设计。同时，FR601G 的工作温度范围广泛，从-55°C到+175°C，使其在各种恶劣环境条件下依然能够稳定运行。
封装方面，FR601G 常见的封装形式包括TO-220和TO-252（DPAK），这些封装具有良好的热管理和机械稳定性，便于安装在PCB板上，并通过自然散热或配合散热片来提高散热效率。
由于其优异的性能指标，FR601G 在电源管理、工业自动化、新能源设备（如光伏逆变器和储能系统）以及电动工具等领域得到了广泛应用。
FR601G 通常用于需要高效能、低损耗的电源转换系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、同步整流器、负载开关以及各种工业自动化和新能源设备中的功率控制模块。
IRF640N, STP60NF06, FDP6030L, AON6260
