型号：FR4105Z
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：60V
　　栅源电压(VGSS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：2.8A
　　脉冲漏极电流(IDM)：11A
　　导通电阻(RDS(on))@4.5V VGS：35mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@10V VGS：30mΩ
　　阈值电压(VGS(th))@250μA：1.2V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)@1MHz：520pF
　　输出电容(Coss)@1MHz：190pF
　　反向传输电容(Crss)@1MHz：45pF
　　栅极电荷(Qg)@10V：10nC
　　功耗(PD)@25°C：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/焊盘：SOT-23

FR4105Z采用先进的沟道MOSFET工艺设计，具备出色的电气性能和可靠性，特别适合高频开关应用。其低导通电阻特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率，尤其是在大电流工作的条件下，这种优势更为明显。例如，在30mΩ的典型RDS(on)下，当通过2A电流时，导通压降仅为60mV，对应的导通功耗为120mW，远低于传统MOSFET器件。这使得它非常适合用于电池供电设备中以延长续航时间。
　　该器件的栅极电荷（Qg）仅为10nC（@10V），意味着驱动所需的能量较低，从而减轻了栅极驱动电路的负担，有利于实现更高的开关频率和更快的响应速度。同时，较低的输入电容（Ciss = 520pF）也减少了驱动过程中的动态损耗，进一步提升了高频工作的能效表现。FR4105Z的阈值电压范围为1.2V至2.5V，使其能够兼容3.3V甚至更低逻辑电平的微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　热性能方面，FR4105Z在SOT-23封装下仍能提供高达1W的最大功耗耗散能力，结合良好的PCB布局可有效将热量传导至外部环境，确保长时间稳定运行。其工作结温可达+150°C，具备较强的环境适应性，可在工业级温度范围内可靠工作。此外，器件内部结构经过优化，具有良好的抗雪崩能力和稳健的ESD防护特性，增强了在恶劣电磁环境下的耐用性。综合来看，FR4105Z是一款集高性能、小体积与高可靠性于一体的MOSFET产品，适用于多种现代电力电子应用场景。

FR4105Z因其优异的开关特性和紧凑的封装尺寸，被广泛应用于各类中小功率电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池隔离开关。在这些应用中，低导通电阻和低静态功耗是关键需求，而FR4105Z恰好满足这些条件，有助于提升整机能效和延长电池使用时间。
　　在电源管理系统中，该器件常用于同步整流型DC-DC降压变换器或升压变换器中作为主开关管或整流管，利用其快速开关能力和低损耗特性来提高转换效率。此外，在LED照明驱动电路中，FR4105Z可用于恒流调节或PWM调光控制，实现精确的亮度调控。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于小型电机驱动、继电器驱动或传感器电源管理模块中，执行信号切换或功率通断功能。由于其具备一定的过载承受能力，也能在瞬态电流冲击环境下保持稳定运行。另外，在通信设备、网络模块及嵌入式控制系统中，FR4105Z常作为热插拔保护电路或电源路径管理的一部分，防止浪涌电流损坏敏感电路。
　　得益于SOT-23小型封装的优势，FR4105Z特别适合高度集成化的PCB设计，尤其适用于空间受限但又需要一定功率处理能力的应用场合。无论是用于初级侧开关还是次级侧整流，其稳定的性能和成熟的制造工艺都保证了长期使用的可靠性。

AO4405
　　SI2305DS
　　FDS6670A
　　DMG2305UX