型号：FR4105
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：7A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：28A
　　导通电阻RDS(on)：最大12mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：最大16mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：典型值1.5V，范围1.0~2.5V
　　输入电容Ciss：约900pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：约350pF
　　反向恢复时间trr：典型值25ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装：SO-8

FR4105采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，这种结构通过优化硅基材料中的沟道分布，显著降低了导通状态下的电阻值，从而减少了功率损耗并提高了整体能效。该器件在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为12mΩ，在VGS=4.5V时也仅达到16mΩ，这使其非常适合用于低电压驱动环境下的高效开关操作。低RDS(on)意味着在相同电流条件下产生的焦耳热更少，有助于提升系统的热稳定性和长期运行可靠性。此外，FR4105具备快速的开关响应能力，输入电容和输出电容均经过优化设计，确保在高频开关应用中仍能保持较低的动态损耗。其反向恢复时间trr约为25ns，有效抑制了体二极管在续流过程中的反向恢复电荷积累，减少电磁干扰（EMI）和开关节点振荡问题。
　　该MOSFET支持高达7A的连续漏极电流（在理想散热条件下），并可承受高达28A的脉冲电流，适用于短时高峰值负载的应用场合。其栅极耐压为±20V，具备一定的过压保护能力，避免因驱动信号异常导致器件损坏。阈值电压VGS(th)在1.0V至2.5V之间，典型值为1.5V，允许使用逻辑电平信号直接驱动，兼容3.3V或5V微控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。工作结温范围覆盖-55°C到+150°C，适应严苛的工作环境，从低温户外设备到高温工业控制系统均可稳定运行。
　　SO-8封装不仅体积小巧，节省PCB布局空间，还具备良好的热传导路径，可通过PCB上的铜箔进行有效散热。该封装符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品对可持续发展的要求。内部结构经过严格测试，具备优良的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护性能，提升了产品在实际应用中的鲁棒性。总体而言，FR4105凭借其优异的电学参数、紧凑的封装尺寸和高可靠性，成为中小功率电源系统中极具竞争力的选择。

FR4105常用于各类中低压直流电源系统中，包括同步整流式DC-DC降压变换器（Buck Converter）、电池供电设备的电源管理单元、便携式电子产品的电压调节模块、LED驱动电源以及电机控制电路。其低导通电阻和高开关速度使其特别适合用于高效率、高频率工作的开关电源拓扑结构，例如在笔记本电脑适配器、移动电源、USB PD充电器等产品中作为主开关或同步整流开关使用。在电机驱动应用中，FR4105可用于H桥电路中的低端或高端开关元件，实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外，它还可用于热插拔电路、负载开关、电源多路复用器以及各类需要快速响应和低损耗通断控制的场景。由于其SO-8封装易于焊接和检测，因此也广泛应用于自动化程度较高的SMT生产线，适合大批量制造。在通信设备、智能家居控制板、工业传感器供电模块等领域也有广泛应用。得益于其宽泛的工作温度范围和稳定的电气性能，FR4105同样适用于环境条件较为恶劣的工业级应用场景。

FDS6680A, SI2305DS, AOD4184, IRF7401