型号：FR4104
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大连续漏极电流（Id）：75A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：260A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值4.5mΩ（@ Vgs=10V, Id=30A）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值5.8mθ（@ Vgs=4.5V, Id=30A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值2.0V（@ Id=250μA）
　　输入电容（Ciss）：典型值3900pF（@ Vds=20V）
　　输出电容（Coss）：典型值830pF（@ Vds=20V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　二极管正向电压（Vsd）：典型值1.2V（@ Is=75A）
　　功耗（Pd）：250W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-252 (DPAK)

FR4104具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在大电流条件下的导通损耗，提升了整体能效。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为4.5mΩ，在同类产品中处于领先水平，这意味着在相同工作条件下产生的热量更少，有助于减小散热器尺寸或实现无风扇设计。
　　得益于先进的平面硅栅技术，FR4104在保持高性能的同时实现了良好的制造一致性和长期可靠性。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为60nC（@ Vds=20V, Id=75A），这使得器件能够快速开启和关闭，从而减少开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关应用如同步整流和PWM电机控制。
　　该MOSFET具有优良的热稳定性，其最大功耗可达250W（在壳温25°C条件下），结合TO-252封装良好的热传导能力，可有效将芯片热量传递至PCB或外部散热系统。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，确保了在极端温度环境下仍能可靠运行，适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。
　　FR4104内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr≈35ns），有助于降低在感性负载切换过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），进一步提升系统稳定性。同时，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定程度的电感负载突变或短路事件，增强了系统的故障容忍度。
　　其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的驱动安全性，防止因驱动信号过冲导致的栅氧化层击穿。综合来看，FR4104是一款性能均衡、可靠性高的功率MOSFET，适用于对效率、热管理和成本均有较高要求的应用场合。

FR4104广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其适合需要高效能和高可靠性的电源转换场景。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压/升压转换器，其中其低Rds(on)和快速开关特性有助于提升转换效率并减小整体体积。在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机的H桥驱动电路中，作为主开关元件实现正反转和调速控制，其高电流承载能力和良好的热性能保障了长时间稳定运行。
　　在电池管理系统（BMS）和电动工具中，FR4104常被用作充放电通路的主控开关，凭借其低导通损耗和高耐用性，延长了电池使用时间和设备寿命。此外，在服务器电源、通信基站电源模块以及LED驱动电源中，该器件也表现出优异的性能，满足高密度电源设计的需求。
　　由于其封装为TO-252（DPAK），具有良好的散热能力和易于自动贴装的特点，因此非常适合现代自动化生产线使用，广泛用于工业控制板、电源模块、嵌入式电源系统等产品中。在汽车电子辅助系统中，如车灯控制、风扇驱动和车载充电器中，FR4104也能胜任非主驱类的功率开关任务，尤其是在不需要AEC-Q101认证的轻度汽车应用中表现良好。
　　此外，该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆系统等新能源相关设备中，作为核心功率开关元件参与能量转换过程。总之，FR4104凭借其综合性能优势，在消费电子、工业自动化、通信设备和绿色能源等多个领域均有广泛应用前景。

FQP75N40
　　IRF3710
　　IPB041N04LC