FR3710Z 时间：2025/12/26 18:46:21 阅读：11

FR3710Z是一款由ONSEMI（安森美）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率、高频开关场景。该器件采用先进的Trench沟道技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在降低导通损耗的同时保持良好的开关性能。FR3710Z封装形式为PowerSO-8（也称SO-8 Power Package），具备良好的热性能和紧凑的占板面积，适用于空间受限但对热性能有要求的应用场合。该MOSFET设计用于在低电压、大电流环境下高效工作，特别适合便携式设备和电池供电系统中的功率控制需求。其引脚兼容市场上主流的SO-8封装MOSFET，便于替换和设计升级。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，使其可应用于汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、车身控制模块等。FR3710Z在制造过程中严格控制工艺参数，确保批次一致性与长期可靠性，是高性能功率开关的理想选择之一。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：18A（在TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：6.5mΩ（@ VGS=10V, ID=9A）
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ（@ VGS=4.5V, ID=9A）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.0V（@ ID=250μA）
　　输入电容（Ciss）：1070pF（@ VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：240pF（@ VDS=15V）
　　反向恢复时间（trr）：20ns
　　最大功耗（PD）：2.5W（TA=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装：PowerSO-8

特性

FR3710Z采用先进的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的良好平衡。其核心优势在于低RDS(on)，在VGS=10V时仅为6.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。尤其是在大电流应用中，例如同步整流或电池放电回路中，低RDS(on)能够有效减少发热，提升能效比。此外，该器件在低栅极驱动电压下仍具备良好性能，在VGS=4.5V时RDS(on)仅为8.5mΩ，使其兼容3.3V逻辑驱动电路，适用于现代低压数字控制系统。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为20nC（@ VDS=15V, ID=9A），有助于减少驱动损耗并加快开关速度，适用于高频开关电源拓扑，如Buck、Boost和同步降压转换器。同时，其输入电容和输出电容较小，进一步降低了开关过程中的能量损耗。FR3710Z还具备良好的热稳定性，其封装采用裸露焊盘设计，可通过PCB散热路径将热量快速传导至外部环境，有效控制结温上升。在实际应用中，通过优化PCB布局和增加铜箔面积，可大幅提升其散热能力，从而允许更高的持续工作电流。
　　FR3710Z具有较强的抗雪崩能力和耐用性，能够在瞬态过压和短路条件下保持稳定运行。其内部结构经过优化，减少了寄生参数的影响，提升了器件的鲁棒性。此外，该MOSFET具备快速的体二极管反向恢复时间（trr=20ns），在桥式电路或续流路径中表现出色，有助于减少反向恢复损耗和电磁干扰（EMI）。综合来看，FR3710Z凭借其低导通电阻、高电流承载能力、良好的热性能和可靠的制造工艺，成为中小功率电源系统中的优选器件。

应用

FR3710Z广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。常见应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流开关，特别是在降压（Buck）转换器中作为下管使用，利用其低RDS(on)减少导通损耗，提高转换效率。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，能够承受较大的充放电电流，同时保持较低温升，保障系统安全可靠运行。
　　在电机驱动领域，FR3710Z可用于H桥或半桥拓扑结构中的低端开关，控制直流电机或步进电机的启停与方向切换。其快速开关能力和低栅极驱动需求使其非常适合由微控制器直接驱动的应用。在负载开关和热插拔电路中，该器件可作为主控开关，实现对电源路径的通断控制，防止浪涌电流冲击后级电路。
　　由于其通过AEC-Q101认证，FR3710Z也被广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动、车身控制模块和辅助电源单元。在工业控制和消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电源管理、USB PD电源模块、无线充电器等，该器件同样表现出色。其小型化封装和高性能指标使其成为高密度PCB设计中的理想选择。