晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：1A
　　功耗（PD）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　封装类型：SOT-223

FR257-STR 晶体管具备出色的高频性能，能够在高达 100MHz 的频率下稳定工作，这使其非常适合用于射频放大器和高速开关电路。该晶体管的 NPN 结构提供了良好的电流放大能力，其 hFE 值可根据不同版本在 110 到 800 之间变化，满足不同应用场景对增益的需求。此外，FR257-STR 的 SOT-223 封装形式具有优良的散热性能，有助于在较高功率条件下维持稳定的运行。
　　该晶体管还具有良好的线性特性，适用于音频放大电路中，能够有效减少失真，提高音质表现。其较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO）达到 40V，使其在中高电压应用中表现出色。FR257-STR 还具备较强的耐久性和稳定性，能够在恶劣的工作环境下长期运行。
　　此外，FR257-STR 的低饱和压降（VCE(sat)）使其在开关应用中具有较低的功率损耗，提高了电路的整体效率。该器件的封装形式也便于散热设计，适用于需要较高可靠性的工业控制和通信设备。

FR257-STR 主要应用于射频（RF）放大器、音频放大器、中功率开关电路、电源管理模块以及各种电子控制电路中。由于其高频响应和良好的增益特性，该晶体管常用于无线通信设备、音频功率放大模块、LED 驱动电路以及各类工业自动化控制系统中的信号处理和驱动部分。此外，在消费类电子产品如电视、音响设备以及家用电器中也有广泛应用。

BCX56-10, PN2222A, 2N3904, MMBT2222A, BFQ56