时间：2025/8/24 13:43:15
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FQU9N15 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等功率电子设备中。FQU9N15 以其低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性著称，能够在高频率下工作，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：150V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：7.5A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.32Ω @ Vgs = 10V
功率耗散（Pd）：40W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-220
FQU9N15 MOSFET具备多项优异特性，首先其导通电阻较低，能够有效减少导通损耗，提高整体系统的效率。其次，该器件具备较高的耐压能力，漏源击穿电压达到150V，适合用于中高压电源系统中。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，支持在高温环境下运行，同时具备较快的开关速度，适合用于高频开关应用，如DC-DC变换器、负载开关以及电机控制电路。
在可靠性方面，FQU9N15采用了先进的平面工艺和高密度单元设计，增强了器件的耐用性和稳定性。其封装形式为TO-220，便于安装在散热片上以提高散热性能。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够兼容多种驱动电路，从而简化电路设计。
该MOSFET还具备较强的抗过载能力，在短时间内能够承受较高的电流冲击，而不会导致永久性损坏。这一特性使其在电源管理、负载切换以及电动工具等应用中表现出色。
FQU9N15 常用于各类电源管理系统中，例如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，因此在开关电源设计中常用于主开关或同步整流器件。此外，该MOSFET也适用于电机控制、电动车控制器以及LED照明驱动电路。
在工业控制领域，FQU9N15 被广泛用于自动化设备、继电器替代电路以及智能电表等应用场景。由于其具备良好的热稳定性和高可靠性，因此也适用于环境较为恶劣的工业现场。此外，该器件还可用于逆变器系统、不间断电源（UPS）以及储能系统等高功率应用中。
IRFZ44N, FQP9N15, FDD9N15, FDS9N15, STP9NK60Z
