类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：7.5A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.32Ω @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220

FQU9N15 MOSFET具备多项优异特性，首先其导通电阻较低，能够有效减少导通损耗，提高整体系统的效率。其次，该器件具备较高的耐压能力，漏源击穿电压达到150V，适合用于中高压电源系统中。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，支持在高温环境下运行，同时具备较快的开关速度，适合用于高频开关应用，如DC-DC变换器、负载开关以及电机控制电路。
　　在可靠性方面，FQU9N15采用了先进的平面工艺和高密度单元设计，增强了器件的耐用性和稳定性。其封装形式为TO-220，便于安装在散热片上以提高散热性能。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够兼容多种驱动电路，从而简化电路设计。
　　该MOSFET还具备较强的抗过载能力，在短时间内能够承受较高的电流冲击，而不会导致永久性损坏。这一特性使其在电源管理、负载切换以及电动工具等应用中表现出色。

FQU9N15 常用于各类电源管理系统中，例如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，因此在开关电源设计中常用于主开关或同步整流器件。此外，该MOSFET也适用于电机控制、电动车控制器以及LED照明驱动电路。
　　在工业控制领域，FQU9N15 被广泛用于自动化设备、继电器替代电路以及智能电表等应用场景。由于其具备良好的热稳定性和高可靠性，因此也适用于环境较为恶劣的工业现场。此外，该器件还可用于逆变器系统、不间断电源（UPS）以及储能系统等高功率应用中。

IRFZ44N, FQP9N15, FDD9N15, FDS9N15, STP9NK60Z