时间：2025/8/24 12:57:57
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FQU8896是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用先进的平面工艺技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等应用场景。FQU8896采用TO-220封装形式，便于散热并适用于各种工业级和消费类电子产品。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：140A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
功耗（Pd）：300W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-220
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
FQU8896具有极低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
其高电流承载能力和优异的热稳定性使其适用于高功率密度设计。
该器件具备良好的雪崩能量吸收能力，提高了在高压尖峰环境下的可靠性。
采用先进的平面工艺，确保了器件在高温和高电流条件下仍能保持稳定性能。
内置栅极保护二极管，增强了抗静电能力（ESD），提升了器件在复杂电磁环境中的稳定性。
TO-220封装结构具备良好的散热性能，适用于高功率应用场景。
器件设计符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的开发。
FQU8896广泛应用于各类电力电子设备中，如：开关电源（SMPS）中的主开关管和同步整流管、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、电机驱动器和逆变器中的功率开关、负载开关和电源管理模块、服务器和通信设备中的高效率电源模块等。其高可靠性和高效率特性也使其适用于汽车电子、工业自动化、新能源和消费类电子产品。
FQP8896, FQA8896, IRF1404, SiR882DP, CSD17509Q5B
