时间：2025/8/25 1:22:23
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FQU7N10TU是一款由富士通（Fujitsu）生产的N沟道功率MOSFET，常用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高功率应用场景。该器件具备高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率和高性能的电源系统。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：7A
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.3Ω（最大）
功率耗散（PD）：80W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（D-Pak）
FQU7N10TU具有低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其100V的漏极-源极电压额定值使其适用于多种中高功率应用，包括开关电源和DC-DC转换器。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和较高的耐用性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。采用TO-252封装，便于散热和安装，适用于表面贴装工艺。
该器件还具有快速开关能力，可减少开关损耗，提高系统的响应速度。其栅极驱动特性优化，能够在较高的频率下运行，适用于现代高效能电源设计。
由于其出色的电气性能和稳定的封装结构，FQU7N10TU在工业控制、汽车电子和消费类电源产品中广泛使用。
FQU7N10TU主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及LED照明驱动电路等需要高效功率控制的场合。
FQP7N10L, FDN340P, IRFZ44N, SI2302DS
