时间：2025/8/24 11:24:13
阅读：4
FQU6N15 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和电机控制等高功率电子系统中。该器件采用高性能硅技术制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于需要高效率和稳定性的电路设计。FQU6N15 采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于工业电源、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：150V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：6A（连续）
漏极电流（IDM）：24A（脉冲）
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：30W
FQU6N15 具有以下主要特性：首先，其低导通电阻（RDS(on)）可降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET具备良好的热稳定性和高功率耗散能力，适用于高负载应用场景。此外，FQU6N15 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同的功率控制电路中。该器件还具有快速开关能力，减少了开关损耗，提高了动态响应性能。其TO-220封装结构提供了良好的散热性能，确保在高温环境下仍能保持稳定工作。最后，FQU6N15 具有较强的短路和过载承受能力，增强了系统可靠性。
FQU6N15 常用于各种高功率电子设备和系统中，包括但不限于：电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、工业自动化设备、LED照明驱动电路以及汽车电子系统等。由于其高可靠性和良好的导通特性，FQU6N15 也适用于需要高效率和高稳定性的嵌入式控制系统。
FQP6N15, FQA6N15, IRFZ44N, STP6NK15Z
