时间：2025/12/23 12:00:58
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FQU5P10是一款N沟道增强型MOSFET，适用于低电压应用场合。该器件采用先进的制造工艺，在开关速度、导通电阻和漏源击穿电压等方面表现出色。其小尺寸封装（SOT-23）使其非常适合于空间受限的设计环境，广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：1.9A
导通电阻：150mΩ
总功耗：430mW
工作温度范围：-55℃ to 150℃
FQU5P10具有较低的导通电阻和栅极电荷，这使得它在高频开关应用中能够保持较高的效率并减少功率损耗。
其高雪崩能量能力确保了在异常条件下也能可靠运行。
FQU5P10还具备快速开关性能，有助于降低开关损耗，提升系统整体效率。
此外，它具有出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内正常工作。
FQU5P10常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电源管理模块等应用中。
由于其小尺寸和高性能特点，也适用于手机充电器、平板电脑适配器以及便携式电子设备中的电源切换功能。
另外，在电池保护电路和LED驱动电路中也有广泛应用。
FQP17P06, IRLML6401
