时间：2025/5/12 12:01:31
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FQU5N50C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件具有高击穿电压和低导通电阻的特点，适用于各种开关和功率管理应用。其封装形式为TO-220，适合于需要良好散热性能的场合。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：4.3A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻：3.6Ω
总功耗：115W
工作结温范围：-55℃至+150℃
FQU5N50C的主要特点是高电压耐受能力，能够承受高达500V的漏源电压，这使得它非常适合用于高压环境下的开关应用。此外，该器件具有较低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了效率。它的快速开关特性和低输入电容使其在高频应用中表现出色。
该器件还具有热稳定性强的特点，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。其TO-220封装设计提供了良好的散热性能，有助于提高系统的整体可靠性。
FQU5N50C广泛应用于开关电源、直流电机驱动、逆变器、电磁阀驱动等领域。在开关电源中，它可以用作主开关管，实现高效的电力转换。在电机驱动应用中，该器件可以控制电机的启动、停止和速度调节。此外，它也常用于工业控制和家用电器中的功率管理电路。
FQA5N50C, FQR5N50C, IRF540
