时间：2025/12/29 14:40:19
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FQU4N50S 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的平面技术，具备高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点，广泛应用于电源转换器、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
最大漏-源电压（VDS）：500V
最大栅-源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
功率耗散（PD）：60W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
FQU4N50S 具备良好的导通特性和耐压能力，适用于各种功率控制场合。其主要特性包括高耐压（500V）确保了在高压环境下稳定运行；低导通电阻（RDS(on)）可降低导通损耗，提高系统效率；同时具备良好的热稳定性和抗过载能力，在高温条件下仍能保持稳定性能。此外，FQU4N50S 采用了 TO-220 封装，便于散热和安装，适用于多种工业和消费类电子设备。
FQU4N50S 的栅极驱动特性较为稳定，能够在宽电压范围内工作，适应不同控制电路的需求。其高输入阻抗也使得驱动电路设计更为简单，适用于高频开关应用。由于其优异的性能和稳定性，FQU4N50S 被广泛用于电源管理、马达控制、LED 照明以及各种开关电源模块中。
FQU4N50S 常用于电源转换系统，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电池充电器、马达控制电路、LED 照明驱动器以及各种工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高耐压和良好的导通特性，它也适用于需要高压和中等功率输出的应用场合。
K2645, 4N50S, FQA4N50C
