时间：2025/8/25 1:29:18
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FQU3N80是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用先进的平面条状工艺制造，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。适用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业控制设备等领域。FQU3N80采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：800V
连续漏极电流（ID）：3A
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（最大）
耗散功率（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
FQU3N80具有优异的开关性能和导通特性，能够在高压环境下稳定工作。
其高耐压能力（800V）使其特别适用于高压电源转换系统。
低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。
内置栅极保护二极管，提升了器件的抗静电能力和可靠性。
TO-252封装具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。
此外，FQU3N80具有快速开关响应能力，适用于高频开关应用，减少开关损耗。
该器件还具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能维持稳定的性能表现。
FQU3N80常用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED驱动器、电机控制器等电源转换设备。
也可用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS不间断电源等高压应用场景。
在工业控制领域，FQU3N80可用于PLC模块、继电器驱动、负载开关等电路中。
其高耐压和良好热性能也使其适用于需要长时间稳定工作的设备中，如工业电源、测试仪器、通信设备等。
此外，FQU3N80还可用于功率因数校正（PFC）电路和反激式转换器中，作为主开关器件使用。
FQP3N80, FQA3N80, IRF840, STP4NK80Z
